2) Nonlinear interaction
非线性相互作用
1.
The one-order approximate analytical expressions for the set-up of pure storm surges ζ_S, the set-up of astronomical tides ζ_T and the set-up of ζ_(ST)induced by nonlinear interaction between storm surges and astronomical tides were derived.
对一维狭长半封闭水域中的风暴潮与天文潮非线性相互作用问题进行了研究,并用摄动方法求出了纯风暴潮增水ζS、天文潮增水ζT及风暴潮与天文潮非线性相互作用形成的增水ζST的一阶近似解析表达式。
2.
This experiment using two frequency acoustic exciting and an anemometer is made of the influence of the phase difference between the K H unstable wave and its subharmonic on the nonlinear interaction between the two waves in a low speed , homogenious and axisymmetric jet .
采用外加纵向双频声激励方法 ,以热线测量为手段 ,对低速、均质、轴对称射流剪切层的K H不稳定波与其亚谐波的相位差、对两波非线性相互作用的影响进行了实验研究。
3.
Formulas describing the influence of the third-order dispersion (TOD) on nonlinear interaction between dispersion-managed soliton are obtained.
推导了三阶色散影响下色散控制孤子非线性相互作用的表达式 ,通过数值模拟分析了三阶色散对色散控制孤子非线性相互作用的影响 ,同时考虑了放大器自发辐射噪声对脉冲传输的影响。
3) non-linear interaction
非线性相互作用
1.
The relations between competition, synergy and non-linear interaction are the relations between the form and content of the motive force and source of system evolution , they are not unitary completely with contradiction.
针对曾国屏同志关于竞争和协同的一些基本观点进行了商榷,论述了竞争与个体性或创造性、协同与集体性或目的性并非一一对应严格确定的,竞争和协同与非线性相互作用是系统发展动力、源泉的形式和内容的关系,它们与矛盾之间并不是完全一致的。
4) inelastic event
非弹性相互作用
5) restrict equation
粘性/非粘性相互作用
6) Electronic interactions
极性基团相互作用
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条