1) etch mark
蚀刻痕迹
2) etch ring
刻蚀环痕
3) wind-eroded traces
风蚀痕迹
4) glacial mark
冰蚀痕迹
1.
Based on measurement data of the glacial mark on roche mountonnee in TianshanMountains, this paper mainly discusses the glacial-geomorphic process, formative mecha-nism in modern-glacier.
本文根据羊背石上的冰蚀痕迹的资料,着重探讨了其冰蚀痕迹分布规律和冰底动力过程。
5) abrasion mark
磨蚀痕迹
6) track-etch
径迹蚀刻
1.
This paper describes the track-etch dosimetry system used by the National Radiological Protection Board for measuring radon concentrations in dwellings and in workplaces.
文章描述了NRPB用于测量居室和工作场所氡浓度的径迹蚀刻剂量学体系 ,并考虑了适用于大规模评价吸入室内空气中氡的衰变子体所致危险度的理想氡剂量学体系所应该满足的原则 。
补充资料:电化学刻蚀
分子式:
CAS号:
性质:也称电解浸蚀。在一定的电解液中,采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多,例如在印刷电路板的制作中,通过如下反应:Cu→Cu2++2e-(阳极) ;2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中,对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2,FeCl3,H2CrO4,NH4Cl,H2O2-H2SO4等。
CAS号:
性质:也称电解浸蚀。在一定的电解液中,采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多,例如在印刷电路板的制作中,通过如下反应:Cu→Cu2++2e-(阳极) ;2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中,对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2,FeCl3,H2CrO4,NH4Cl,H2O2-H2SO4等。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条