1) Hall subgroup
霍尔子群
2) hall ion source
霍尔离子源
1.
The Ti and N doped diamond-like carbon films with transition layer of Cr are fabricated in Combine unbalanced magnetron sputtering with cathode arc, and use Hall ion source assisted to prepare.
应用电弧离子镀和非平衡磁控溅射镀膜技术相结合的方法,并使用霍尔离子源辅助,制备了过渡层为Cr、掺杂Ti和N的DLC薄膜。
2.
The hard black films has been prepared by combining unbalanced magnetron sputtering with middle frequency twin targets magnetron sputtering, cathode arc and Hall ion source.
将中频孪生靶磁控溅射、非平衡磁控溅射、电弧离子镀和霍尔离子源辅助沉积四种技术结合起来开发了复合镀膜工艺,制备了黑色硬质膜。
3) end-Hall ion source
端部霍尔离子源
1.
Design and numerical simulation of magnetic field for end-Hall ion source;
端部霍尔离子源的磁场设计与数值模拟
2.
Comparative analysis of two patterns of end-Hall ion sources for ion beam-assisted deposition;
用于离子束辅助镀膜的两种模式端部霍尔离子源的比较
3.
The characteristic of end-hall ion source was studied in this paper.
本文通过对端部霍尔离子源特性的研究 ,采用自行研制的用于离子束辅助沉积的端部霍尔离子源成功镀制了类金刚石膜 ,并对采用该离子源制备类金刚石膜的工艺进行了研究和分析。
4) end Hall ion source
端部霍尔离子源
1.
Under the conditions of ion beam-assisted deposition (IBAD) using broad beam cold cathode and end Hall ion sources, utilizing the box type of Nanguang ZZS700-1/G coater,the influences of two IBADs on transmissivity and stress have been demonstrated respectively.
在宽束冷阴极离子源和端部霍尔离子源辅助沉积情况下,利用南光ZZS700-1/G箱式镀膜机,通过实验分别验证了这两种离子束辅助沉积对光学膜层透过率和应力的影响。
5) Quantum Hall resistance
量子化霍尔电阻
1.
The quantum hall resistance standard in NIM;
中国计量科学研究院建成量子化霍尔电阻标准
6) gridless hall ion source
无栅霍尔离子源
补充资料：海尔霍尔坝
海尔霍尔坝 |
Hell Hole Dam |
| 概 述 |
| 海尔霍尔坝位于加利福尼亚州鲁比肯（Rubicon）河上，距萨克拉门托市129km，是普莱瑟县中福克工程系统中的一项关键工程。坝基为辉长岩，坝址控制流域面积295km2，多年平均径流量4亿m3，有记录的洪峰流量188m3/s，总库容3亿m3，有效库容2亿m3，水库面积5km2。斜心墙堆石坝，最大坝高125m，坝顶长472m，坝轴线呈弧线形，曲率半径为1219m。上游坡为1∶2.5，下游坡为1∶1.4，上游坝面作成6m高的多级台阶。心墙上游坡为1∶1.57，下游坡为1∶1.34。无控制溢洪道溢顶为上溢式混凝土堰，最大泄量1960m3/s。利用导流隧洞改建成发电引水管和放水管。厂房布置在左岸岸边，装机容量725kW。工程于1966年完工，电站于1984年建成，后来将引水管道延长至下游17km的新电站，装机容量10.98万kW。 |