补充资料：半导体材料热处理

半导体材料热处理
heat treatment of semiconductor material

热处理也被用于提高GaAs均匀性。半绝缘砷化稼单晶锭在85。一950’C和氮或氮+砷气氛下整锭退火后，电子迁移率从<4。。ocmZ/(V·S)提高到>40oocm“/(V·S)，电阻率不均匀性将由50%降到<30%。若经高温(一200℃)淬火、低温(650一550℃)退火和中温(950℃)退火三段热处理后，过饱和砷均匀核化，深施主EL:将均匀分布，使材料的均匀性得到大的改善。对于离子注入的GaAs晶片，需在氮或氮+砷气氛中，消除辐照损伤和注入离子，提高它的激活率，并用热处理检验半绝缘砷化稼的热稳定性。把无包封的GaAS晶片面贴面放置，并在850℃和氮气氛下退火30min，若电阻率大于5只lo6n·。m，则热稳定性优良。 (翟富义马碧春)bond00t一Coi}500 reChU}l半导体材料热处理(heat treatment of。emi- conduetor material)在 特定的气氛、压力等条件下，按 照一定的温度程序，对半导体单 晶锭或晶片进行热处理的半导 体材杆制备过程中的一个重要 工序。按冷却速度不同，可分为 退火和淬火。经热处理的材料， 因其中杂质、缺陷状态和分布发’ 生变化以及应力的释放，将引起 电学、光学和力学性能变化。它 是一种改变材料性能的有效和 简便的工艺方法。 硅单晶在冷却过程中，在 45。‘C附近将形成硅氧复合体， 具有施主性质，被称为热施主， 它的存在将影响电阻率值。为获 得真实的电阻率，必须消除热施 主，可将硅单晶放在氮或氮+氧 气氛中经550~750℃热处理后 快速冷却，使其失去电活性。再经100。℃以上的高温处理，则可消除晶体在75。℃滞留产生的新施主，从而得到高品质的硅单晶。对于中子擅变掺杂后的硅单晶，需在惰性气氛下，于75。℃以上退火，可消除辐照损伤和激活擅变的磷原子。对于硅抛光片需经过高温(>1000℃)、低温(650~500℃)、再高温(>1。。。℃)三步热处理后，则可实现硅中氧的本征吸除效应，在晶片近表面形成洁净区。

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