1) beam power
电子束功率
2) beam power tube;beam tetrode;beampower valve
电子束功率管
3) beam-power tube
电子束功率管
4) beam power density
电子束功率密度
5) beam power amplifier
电子束功率放大器
6) beam power tube
电子束功率管,射束功率管
7) electronic
电子
1.
Development of an electronic optometer based on SCM;
单片机电子视力计的研制
2.
Clinical analysis on liposuction adopting electronic liposuction machine;
医用电子去脂机行抽脂术临床效果分析
3.
Research on the development of automobile electronic information industry ——based on the theory of industry growth;
基于产业成长理论的中国汽车电子信息产业发展研究
8) electron
电子
1.
Mixed proton-electron conductors for hydrogen permeation;
质子-电子混合导体透氢膜
2.
Study of ion catch technology of electron microscopy in virus detection of patient s excrement;
离子扑捉电子显微镜技术检测患者粪便中病毒的方法
3.
Teaching research on electric and electron speciality oriented art recruiting students;
面向文科招生的电气、电子专业教学研究
9) electrons
电子
1.
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ~(60)Co Gamma rays,electrons and protons;
CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较
2.
In order to study avalanche ionization mechanism, it is inevitable to deal with rates of electrons absorbing and losing energy.
研究雪崩破坏机理,必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率,这些都与电子和声子的散射有密切的联系。
3.
N-channel MOS transistors from CC4007,CC4011 and LC54HC04RH device were irradiated with different dose rate Co-60 gamma rays,lower energy protons(less then 9MeV)and 1MeV electrons.
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 。
10) electronics
电子
1.
Through introducing the TCA substitute technical and solvent in mental,electronics and precision cleaning industry,summing up some of the characteristics of alternative solvents,this article introduces some examples of alternative technologies on the process characteristics and its application,while for domestic enterprises to implement TCA offers eliminated the choice of alternative principles.
通过介绍金属清洗、电子清洗和精密清洗领域的α-三氯乙烷(TCA)替代溶剂及其相关替代的技术,总结了部分替代溶剂的特点,并以实例介绍了部分替代技术的工艺特点及其应用,同时为国内相关企业实施TCA淘汰提供了TCA替代品的选择原则。
2.
This article summarizes the development trend and direction of the traffic electronics.
概括介绍了交通电子的发展动向及未来趋势。
3.
At the base of studying cultivating model of the same talents in other countries,we raised the construction and imagination of the practice teaching system of electronics of our higher vocational school.
为了实现从制造业大国向制造业强国的转变,中国急需大量的高级技能型人才,通过对国外同类人才的培养模式的研究,初步提出了我国高等职业学校电子专业实践教学体系的构建与设想。
补充资料:大功率电子管
第一代电力电子器件。用于高频电能变换电路,一般为真空三极管。器件符号如图1所示。三极管的3个电极中,栅极靠近阴极且处于阴极与阳极之间。工作时,阳极加正向电压。当阴极被加热(直热式,预热时间约1分钟),产生的热电子可被阳极收集,形成阳极电流,改变栅极电位可以控制阳极电流的大小。图2是大功率电子管阳极特性一例。与功率场效应晶体管的输出特性对比,它们有相同之处,但三极管的通态阳极电压要高得多。 三极管为电压控制型器件,用以构成放大器或振荡器。应用于高频感应加热电源的大功率电子管其额定阳极电压为5~15千伏, 额定电流为几安至上百安,耗散功率从几千瓦至几百千瓦,工作频率一般为1~5兆赫(上限可达100兆赫),可连续工作约数千小时。 电子管高频电源的频率下限约100千赫。50 千赫以下的电源一般采用电力半导体器件(如晶闸管)。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流,所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50%,而晶闸管中频(1千赫)电源的效率则高达92%以上。20世纪80年代,由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件,其开关频率(约几十千赫)还远未达到同容量的大功率电子管水平,电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
在电子管高频电源中,电子管处于振荡工作状态,器件上会同时出现很高的阳极电压与电流,所产生的大量热量由水冷装置或风冷装置散逸。电子管高频电源的效率一般不到50%,而晶闸管中频(1千赫)电源的效率则高达92%以上。20世纪80年代,由于能控制几十千瓦以上功率的电力电子器件,其开关频率(约几十千赫)还远未达到同容量的大功率电子管水平,电子管在高频大功率领域仍占据主要地位。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条