1) porcelain insulator
陶瓷绝缘器
2) porcelain loop insulator
陶瓷环状绝缘器
3) insulating ceramics
绝缘陶瓷
1.
This paper proposes a new method of machining insulating ceramics named electrical discharge grilling(EDG),introduces the mechanism of the insulating ceramics machining by EDG.
针对绝缘陶瓷的磨削加工问题,提出了基于绝缘陶瓷辅助电火花加工原理的绝缘陶瓷电火花磨削加工方法。
2.
In this paper,using assisting electrode,the experiments are done to analyze the influence of the distance between giving electric power position and machining position to characteristics of the forming electrical conductive layer in EDM of insulating ceramics Si_3N_4.
采用辅助电极法,在设定加工条件下,对绝缘陶瓷材料Si3N4进行了电火花加工实验,研究了送电距离(指金属夹具与被加工位置的最近距离)对生成导电膜的厚度、电阻等特性的影响,得出了送电距离越远,生成的导电膜越薄、电阻越大及加工速度越小的结论。
5) insulating ceramics
绝缘性陶瓷
1.
Characteristics of the forming electrical conduc-tive layer for insulating ceramics by EDM;
绝缘性陶瓷电火花加工中生成导电膜的特性分析
2.
An experimental study is conducted on the characteristics of electric sparking machining of insulating ceramics Si3N4 by using assist electrode method under given experimental conditions.
采用辅助电极法,在设定实验条件下,对绝缘性陶瓷材料Si_3N_4的电火花加工特性进行了实验研究,得出了电火花加工的加工电流、脉冲宽度和脉宽系数与加工速度和加工表面粗糙度之间的关系。
6) Ceramic insulator
陶瓷绝缘板
补充资料:绝缘陶瓷
绝缘陶瓷
insulating ceramics
绝缘陶瓷insulating eeramies具有优良绝缘性能和良好机械性能的功能陶瓷。又称装置陶瓷。用作各种绝缘子、绝缘结构零件、波段开关和电容器支柱支架、电子元件封装外壳、集成电路基片和封装外壳等。对绝缘陶瓷的基本要求是:介电常数小,介电损耗低,绝缘电阻率高,抗电强度大,机械强度高,耐热冲击性能好,热导率高以及具有良好的温度、湿度和频率的稳定性等。此外,高压电工装置用的高压电瓷也属于绝缘陶瓷。 常用的绝缘(装置)陶瓷有氧化铝陶瓷、滑石陶瓷、莫来石陶瓷、荃青石陶资、镁橄槛石巾资等。其中氧化铝陶瓷和滑石陶瓷应用最)’‘氧仲银陶瓷是一类电绝缘性能好的高频、高温、高强度装置陶瓷。主要特点是:机械强度高,热导率高,耐磨,高温、高频下的绝缘性能优良,化学物理性能稳定。其电性能和物理性能随A12O3含量的增多而提高。常用的有含75%、%%、99%A1203的高铝瓷(A1203含量大于75%的氧化铝陶瓷统称高铝瓷,A1203含量高于95%的称刚玉瓷)。在一些要求极高的集成电路中还使用A1203含量达99.9%的纯刚玉瓷,其性能与蓝宝石单晶相近。滑石陶瓷的主要晶相成分为MgsiO3,其优点是具有较高的机械强度,介质损耗小,工艺性能好,可用来制造绝大部分装置零件,是一种电绝缘性能优良、用途广泛、价格低廉、适用于射电频段的典型高频装置瓷。 随着电子工业的发展,尤其是厚、薄膜混合集成电路以及微波集成电路等集成度和功率的增加,对陶瓷的热导率提出了更高的要求,因此又发展出高热导率陶瓷,如氧化被陶瓷、氮化硼陶瓷、氮化铝肉瓷、碳化硅陶瓷等。氧化被陶瓷的最大特点是抽导率高,接近于金属铝,还具有良好的介电性能,是制作大功率晶体管的管壳、散热片、大功率集成电路和微波集成电路基片的良好材料。但是,氧化被原料有毒,瓷料烧成温度高,因而限制了它的应用。氮化硼陶瓷和氮化铝陶瓷也属于高热导率陶瓷,其热导性虽不及氧化被陶瓷,但无毒,加工性能和介电性能均好,可供高频大功率晶体管和混合集成电路中散热和绝缘用。 为适应混合集成电路集成度的提高和单位面积发热量剧增,又研究采用热导性更好的氮化铝和添加少量氧化被的碳化硅材料作为基片材料。在氮化铝中添加氧化忆可以改善其热导性、耐热性和强度。添加少量氧化被的碳化硅陶瓷的特点是,热导率大于氮化铝瓷,热膨胀系数接近单晶硅,用它作集成电路基片,热导率比氧化铝基片高一个数量级。碳化硅和氮化铝基片还具有热膨胀系数小的优点。撰高雳黔磕药霎馨藻竺橇咒煞级竺
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参考词条