1) individual pin retention
特殊的阻挡销
2) special baffle tool
特殊挡圈
3) "special" resistancs
"特殊"电阻
4) diffusion barrier property
阻挡特性
1.
The surface morphology and properties of the thin-films were investigated by four-point probe(FPP)sheet resistance measurement, AFM,SEM,Alpha-step IQ profilers and XRD,also the effects of N and AI doping on diffusion barrier property were discussed.
实验结果表明,Ta、Ta-N和Ta-Al-N膜层的Cu扩散阻挡特性逐渐增强,Ta/Si界面上的反应和Cu通过多晶Ta膜扩散到Si底并形成Cu_3Si共同导致了Ta阻挡层的失效,而Cu通过Ta-N和Ta-Al-N结晶后产生的晶界扩散到Si底并形成Cu_3Si是两者失效的唯一机制。
6) special retaining structure
特殊支挡结构
补充资料：电阻
| 电阻 resistance 描述导体制约电流性能的物理量。根据欧姆定律，导体两端的电压U和通过导体的电流强度I成正比。由U和I的比值定义的R＝U／I称为导体的电阻，其单位为欧姆，简称欧（Ω），电阻的倒数G ＝1/R称为电导，单位是西门子(S)。 导体的电阻与其材料性质及形状、大小有关。对于由一定材料制成的横截面均匀的导体，其电阻R与长度l成正比，与横截面S成反比，即  ，比例常量ρ称为电阻率。电阻率的倒数 称为电导率。电阻率和电导率都是表征材料导电性能的参量。银、铜、铝等金属的电阻率很小，适于做导线；铁铬铝、镍铬等合金的电阻率较大，适于做电炉、电阻器的电阻丝；熔凝石英的电阻率最大，是很好的绝缘材料。各种材料的电阻率都随温度变化。实验得出，在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ＝ρ0（1＋αt），式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4％。 由于α比金属的线膨胀显著得多（ 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001％），在考虑金属电阻随温度变化时，其长度 l和截面积S的变化可略，故R＝ R0(1＋αt)，式中  和 分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。利用铂、铜制成的电阻温度计分别适用于－200～500℃和－50～150℃范围 ，有些合金如康铜（镍铜合金）和锰铜的电阻温度系数很小，常用以制作标准电阻。遵循欧姆定律的电阻叫做线性电阻，如金属和电解液（酸、碱、盐的水溶液）。另一些导电元件，如半导体二极管、隧道二级管等不遵从欧姆定律，电压电流关系是一条曲线，称为非线性电阻。通常仍定义其电阻为R＝U／I，但R不仅取决于元件的性质，还与工作点的位置(即电压、电流值)有关。 对于某些金属、合金和化合物，当温度降到某一临界温度Tc时，电阻率会突然减小到无法测量，这就是超导电现象。 |
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参考词条