1) field effect controlled switch
场效应控制开关
2) FET switch
场效应管开关
1.
A design for rectifying and adjusting pulse signal s leading edge and trailing edge with tunnel diode and FET switch is presented in this paper.
针对高速脉冲发生中对脉冲边沿陡峭、可控的要求,本文提出了一种使用隧道二极管对脉冲边沿整形,利用场效应管开关和恒流源充放电电路控制脉冲边沿时间的方案,并对其电路和隧道二极管的工作原理进行了具体分析。
3) switch MESFET modeling
开关场效应晶体管模型
4) switching effect
开关效应
1.
We propose a scheme utilizing mean-field approach to exhibits the switching effect in a symmetrical Bose-Einstein condensate triple-well potential.
应用平均场近似的方法,研究了弱耦合的三势阱中玻色-爱因斯坦凝聚的开关效应。
5) optical switching
开关效应
1.
Under certain conditions,the author s calculations show that with the change of Rabi frequencies of the driving field,the curve of dispersion can transformed from abnormal chromatic dispersion to normal chromatic dispersion,thus the optical switching effect has appeared.
结果显示在一定条件下当控制场的拉比频率改变时,探测场对应的介质色散曲线可以实现从反常色散到正常色散的转变,出现了开关效应。
补充资料：场效应晶体管
| 场效应晶体管 field effect transistor 利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条