1) impurity level
杂质能阶
2) impurity level
杂质能级
1.
New method of calculating the probability function of carriers occupying the impurity level;
一种计算载流子占据杂质能级的概率的新方法
3) Impurity energy level
杂质能级
1.
The calculated results for ZnS:Mn 2+ show that the property of impurity energy level for single bug satisfies the theory of crystal potential field,and the influence of impurity energy level caused by concentration of impurity is not evident,which is consistents with the experiment results.
2 3eV ;然后用原子球替代方式自洽计算杂质密度在Eg 中的相对位置 ,模拟计算了在六角结构ZnS中掺入不同浓度的Mn杂质后有关的杂质能级在Eg 中的相对位置。
4) impurity band
杂质能带
5) activation energy of impurity
杂质激活能
6) deep level impurity
深能级杂质
补充资料：杂质能级（impuritylevel）
杂质能级（impuritylevel）
半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态，称为杂质能级。对于杂质和主晶格原子价电子相差1的施（受）主杂质，它们的离化能很小，通常只有十几～几十毫电子伏，在常温下就能电离而向导带（价带）提供电子（空穴），自身成为带正（负）电的电离施（受）主，通常称这些杂质能级为施（受）主能级。和主晶格原子的价电子相差大于1的杂质，在半导体中形成的杂质能级一般离导带底或价带顶较远，它们的施主或受主作用一般不明显，通常称这些杂质能级为深能级。靠近禁带中央的深能级往往是有效的复合中心，能促进非平衡载流子的复合，对半导体的光电和发光性能起重要作用。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条