2) thin film oven test
薄膜氧化试验
3) Metal membrane testing
金属薄膜试验
5) film stripping test
薄膜剥离试验
6) diaphragm burst test
薄膜顶破试验
补充资料:一氧化硅薄膜介质材料
分子式:
CAS号:
性质:黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40~100pF/mm2,电容温度系数(40~400) ×10-6,介质损耗因数tgδ(1~4) ×10-2,击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
CAS号:
性质:黑褐色无定型固体膜。介电常数5。比(电)容40~100pF/mm2,电容温度系数(40~400) ×10-6,介质损耗因数tgδ(1~4) ×10-2,击穿场强1×108V/m。与基片附着性能良好。采用真空蒸发法制取。用在混合集成电路中。用于制作薄膜电容器介质、薄膜电阻器和隔离层、光电池用增透膜。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条