2) Metal pipeline
金属管道
1.
This paper introduce types and mechanism of corrosion of underground metal pipelines and structures and anti-corrosion methods.
本文介绍了地下金属管道和设备的腐蚀类型和机理以及防腐蚀的方法。
2.
The development tends of anti-corrosion technologies for metal pipelines were analyzed.
介绍了金属管道的腐蚀与防腐蚀原理,详细研究了涂层防腐蚀、金属管复合防腐蚀、电化学防腐蚀、磁场防腐蚀等工艺的优缺点。
3) metallic pipeline
金属管道
1.
In order to resolve the germ corrosion of water injection metallic pipelines in oilfield, a high-performance injection water sterilization equipment was designed making use of alternating-electromagnetic-field-based physical sterilization technology.
为了解决油田回注水金属管道中的硫酸盐还原菌等细菌造成的腐蚀问题,利用交变电磁场物理杀菌技术研制了一种高性能的油田回注水杀菌装置,并将该杀菌装置与化学杀菌方法相结合,对油田回注水进行杀菌试验。
4) Metal Pipe
金属管道
1.
Application of technology of metal pipe full-position downward welding in a construction;
金属管道全位置下向焊技术在某工程中的应用
2.
A special solvent free polyurethane coating designed for metal pipes has been developed.
研制了一种专用于金属管道的无溶剂聚氨酯涂料 ,研究了涂料配比对其粘度、流平性、固化速度、附着力、硬度等性能的影响 ,分析了工艺参数如温度、压力对涂层质量的影响。
3.
A simply evaluating method is obtained for contact stress between bimaterials,radial strain and cyclic stress of metal pipe.
本文分析了热固性树脂衬里的金属管道的重要问题：衬里与管道之间的接触应力、径向位移及金属管道的环向应力，导出了易于使用的公式，为管道设计、施工和维护提供了理论依据。
6) Double-metal pipe
双金属管道
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条