1) top/bottom neutron shield
上部与下部中子屏蔽体
2) U.N.S. (upper neutron shielding)
上部中子屏蔽
3) top shielding
上部屏蔽,顶部屏蔽
4) partial shield
局部屏蔽体
5) lower main shield(ing)
下部主屏蔽[层]
补充资料:中子屏蔽
分子式:
CAS号:
性质:为降低中子辐射强度所采取的措施。能量超过10MeV的裂变中子穿透性强,是决定中子屏蔽厚度的主要因素。铁能比较容易地使这些中子经过非弹性散射降低能量,再用轻核(氢、锂、铍、碳等的原子核)继续使中子慢化,成为热中子而被硼、镉吸收。铁和水结合起来成为对能量很高的中子有较高屏蔽效率的材料。
CAS号:
性质:为降低中子辐射强度所采取的措施。能量超过10MeV的裂变中子穿透性强,是决定中子屏蔽厚度的主要因素。铁能比较容易地使这些中子经过非弹性散射降低能量,再用轻核(氢、锂、铍、碳等的原子核)继续使中子慢化,成为热中子而被硼、镉吸收。铁和水结合起来成为对能量很高的中子有较高屏蔽效率的材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条