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1)  radiation amount
辐射总量
2)  total dose radiation
总剂量辐射
1.
Experiments show that total dose radiation effect in buried oxide of SOI(Silicon on Insulator) MOS is obviously dependent on bias condition.
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关。
2.
So, it is perhaps not effective to improve characteristics of SOI MOSFET under ultra-lager total dose radiation only by hardening buried SiO2.
在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2]。
3)  Total dose irradiation
总剂量辐射
4)  annual radiant all quality
年辐射总量
5)  Total radiant flux
总辐射通量
1.
The concepts and structural features of the automatic value transferring apparatus for the total radiant flux of 253.
7nm辐射源总辐射通量量值自动传递装置的原理、方法、结构特点以及短波紫外线的新型反射涂料,最后给出测量结果。
6)  installed radiation
总辐射热量
补充资料:电离辐射剂量


电离辐射剂量
ionizing radiation dose

  dianli fushe iiliang电离辐射剂量(ionizing radiatio。dose)物质受电离辐射的作用程度。它是从物质吸收辐射能量角度描述电离辐射对物质作用程度的表征量。电离辐射是能够在物质中引起激发和电离作用的辐射。电离辐射与物质作用的实质是能量的授受过程。受照射物质吸收电离辐射的能量后会发生物理的、化学的各种变化,生物体受照射将产生生物学效应。物质吸收辐射能量越多,引起的效应越明显。电离辐射剂量可区分为吸收剂量(D)、剂量当量(功、累积剂量和容许剂量等。 吸收剂量简称剂量。任何电离辐射,授予质量为d二的物质的平均能量d万除以dm。即:D=d石火}m。吸收剂量的国际单位制单位是戈瑞(Gy),1戈瑞等于1焦耳每千克。曾习用的专用吸收剂量单位是拉德(rad),1戈瑞等于100拉德。在dt时间.内吸收剂量的增量dD除以dt,称为吸收剂量率。即:力=dl〕/( It。吸收剂量率的单位是戈/秒或戈/时。 剂量当量在要研究的组织中某点处的吸收剂量D、品质因数Q和其他一切修正因素N的乘积。即:H=DQN。剂量当量是量度各种辐射对人体伤害程度的物理量,对于具有相同吸收剂量的不同辐射,由于生物效应的差异,对人员的伤害程度是不一样的,引人不同的品质因数Q可以比较不同的辐射对人体的伤害程度。剂量当量只适用于辐射防护方面,不能用于紧急事故的大剂量照射,多次照射可以叠加。其国际单位制单位是希沃特(sv),1希沃特等于1焦耳每千克。曾习用的单位是雷姆(rem),1希沃特等于100雷姆。 累积剂量人体或其他的生物机体,在各种电离辐射的一次照射或多次照射下,所受的剂量之和。累积剂量需注明时间,如人员在一年中的累积剂量,一生中的累积剂量等。 容许剂量可以容许人体接受的剂量限值。这样的剂量在人的一生中不会引起人体的显著损伤。容许剂量是内、外照射累积剂量的总和。为保护从事核辐射工作人员免受辐射伤害,各国都制定相应的容许剂量标准。战时为合理保护战斗力,规定有战时核辐射限值。它是组织部队辐射防护的重要依据。战时核辐射限值包括:外照射限值,内照射限值,表面沾染限值,空气沾染限值,粮袜、水沽染限值等。 (傅启锰刘国才)
  
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参考词条