1) protected location
保护存储单元
2) reserved storage location
保留存储单元
3) RSL Reserved Storage Location
保留的存储单元
5) store protection
储存保护
6) memory cell
存储单元
1.
Custom Design of 16-port Write-through Memory Cell;
可写穿的16端口存储单元定制设计(英文)
2.
A novel scheme was presented to cancel the charge injection errors in SC(switchedcurrent) memory cell.
针对电流存储单元电路中存在的电荷注入误差,提出一种新的注入误差消除方法,该方法能够消除由电荷注入效应引起的输入信号相关误差及直流偏置。
3.
Taking advantage of the circuit structure is regular and only corresponsive memory cell is active while inputting a set of specified stimulate wave, a new method of DRAM logic parameter extraction was proposed, which reduced the non-active memory cell and merged the loads of active Bit line.
利用DRAM在给定一组输入激励波形时只有部分存储单元是活动的以及电路结构很规整的特点,通过去掉不活动存储单元及合并活动Bit线上的负载来简化电路。
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条