2) memory management
存储管理
1.
A heap dynamic memory management method based on Multi-Hash table;
一种基于多哈希表的堆式动态存储管理方法
2.
The Research and Implementation of Support and Optimization of Kylin Memory Management System for NUMA;
Kylin存储管理系统的NUMA支持和优化技术研究与实现
3.
These three aspects can be summed up into the design of the memory management unit, a core block of the bus controllers blocking design.
在总线控制器的模块化设计方案中,这三个方面构成了总线控制器的核心模块棗存储管理单元,应用该方案可实现具有多消息自动处理功能的总线控制器。
3) Storage Management
存储管理
1.
A storage management scheme for embedded system;
一种嵌入式系统存储管理方案
2.
Design and implementation analysis of storage management system based on third-party transfer mechanism;
基于三方传送的存储管理系统设计与实现
3.
Research and Implementation of High- Performance Storage Management in Data Grid;
数据网格中高性能存储管理的研究与实现
4) storage tube
储存管
5) lithocon
硅存储管
6) display storage tube
显示储存管，直观储存管
补充资料：存储管
用来存储信息，需要时又可取出信息的电子束管。存储管的工作包括"写入"（将信息引入）、"读出"（取出信息）和"擦除"（清除存储面信息）三个过程。这些过程是靠电子轰击介质靶面产生次级电子发射和激发导电的原理形成靶面电位起伏变化而实现的。存储管根据信息形式可分为直观型（电输入、光输出），信号转换型（电输入、电输出），摄像型（光输入、电输出，见摄像管）和图像转换型（光输入、光输出）。
直观存储管 把电信号变为可见图像的存储管（图1）。写入时,输入信号调制写入电子枪扫描电子束，轰击沉积在金属网上的介质存储靶面，产生次级电子发射，形成正电位起伏。读出时，读出电子枪发射散射电子，均匀覆盖整个靶面，读出电子束在存储面带正电荷的点处穿过网眼。并加速射向荧光屏，显示与靶面电位起伏相应的光学图像。这种直观存储管具有输出辉度高、显示余辉可控、靶面信息可长期存储和多次阅读等特点，适用于雷达和计算机显示。还有一种结构类似的多态直观存储管，用于双稳态视觉显示。
单枪型扫描转换管 一种电信号输入、电信号输出的存储管(图2)。采用二氧化硅条带状存储靶。由于靶上可能记忆以前的信号，在写入前应先擦除。擦除时，取靶电压VT值使次级发射系数σ＜1,用未调制电子束扫描靶面， 使存储面电位Vs接近阴极电位。写入时，取VT值使σ＞1,用写入信号调制的电子束扫描靶面，使存储面建立正电荷起伏。读出时，取VT值使σ＜1,使Vs值低于阴极电位。用未调制电子束扫描，上靶电子束受Vs的反射调制，在输出电路形成与输入信号相对应的输出信号。因存储单元的电位都是负值，可持续进行非破坏性阅读。单枪型扫描转换管可用于图像存储、扫描转换、图像处理。
双枪型扫描转换管 靶为二氧化硅网状膜，网状膜上蒸涂金属信号电极。写入时，信号调制电子束在存储面建立电位起伏。读出时，利用二氧化硅膜上的负电位控制穿过开孔部分的电子数量。这种管型用于扫描转换时具有实时显示功能。另一种记录瞬态信息的硅靶扫描转换管，采用硅二极管阵列靶，写入枪采用慢波偏转调制，读出枪采用焦点投影扫描偏转系统。这种器件可将单次轰击信息和重复信号变换为缓慢的模拟信号或数字信号而直接输入计算机，也可采用标准电视体制在监视器上显示。
直观存储管 把电信号变为可见图像的存储管（图1）。写入时,输入信号调制写入电子枪扫描电子束，轰击沉积在金属网上的介质存储靶面，产生次级电子发射，形成正电位起伏。读出时，读出电子枪发射散射电子，均匀覆盖整个靶面，读出电子束在存储面带正电荷的点处穿过网眼。并加速射向荧光屏，显示与靶面电位起伏相应的光学图像。这种直观存储管具有输出辉度高、显示余辉可控、靶面信息可长期存储和多次阅读等特点，适用于雷达和计算机显示。还有一种结构类似的多态直观存储管，用于双稳态视觉显示。
单枪型扫描转换管 一种电信号输入、电信号输出的存储管(图2)。采用二氧化硅条带状存储靶。由于靶上可能记忆以前的信号，在写入前应先擦除。擦除时，取靶电压VT值使次级发射系数σ＜1,用未调制电子束扫描靶面， 使存储面电位Vs接近阴极电位。写入时，取VT值使σ＞1,用写入信号调制的电子束扫描靶面，使存储面建立正电荷起伏。读出时，取VT值使σ＜1,使Vs值低于阴极电位。用未调制电子束扫描，上靶电子束受Vs的反射调制，在输出电路形成与输入信号相对应的输出信号。因存储单元的电位都是负值，可持续进行非破坏性阅读。单枪型扫描转换管可用于图像存储、扫描转换、图像处理。
双枪型扫描转换管 靶为二氧化硅网状膜，网状膜上蒸涂金属信号电极。写入时，信号调制电子束在存储面建立电位起伏。读出时，利用二氧化硅膜上的负电位控制穿过开孔部分的电子数量。这种管型用于扫描转换时具有实时显示功能。另一种记录瞬态信息的硅靶扫描转换管，采用硅二极管阵列靶，写入枪采用慢波偏转调制，读出枪采用焦点投影扫描偏转系统。这种器件可将单次轰击信息和重复信号变换为缓慢的模拟信号或数字信号而直接输入计算机，也可采用标准电视体制在监视器上显示。
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参考词条