1) infrared -photoelastic effect
红外光弹效应
2) infra-red photo-electric effect
红外光电效应
3) infrared photoelasticity
红外光弹
1.
The stress in substrate Si is measured by infrared photoelasticity method, which is brought by depositing of magneto_control sputtering Cu film on SiO 2/Si surface.
采用红外光弹测量法测量用磁控溅射淀积在SiO2 /Si晶片表面的Cu膜在Si衬底中引入的应力 。
4) Photoelastic effect
光弹效应
1.
Three-component photoelastic waveguide accelerometer based on photoelastic effect
光弹效应的三分量光弹波导加速度传感器
5) photoelastic effect
弹光效应
1.
Bireflectance film based on the photoelastic effect is a kind of anisotropic high reflection coating.
弹光效应双反射膜是一种各向异性的高反射膜。
2.
However, due to presence of optical activity, the electrooptic, piezoelectric and photoelastic effects in BSO, it is difficult to get the analytical results.
考虑BSO晶体的旋光性,电光效应、压电效应、弹光效应时,要求解耦合方程得到解析解是不可能的。
6) photo-elastic effect
弹光效应
1.
The qualitative analysis of the related experimental results was carried out combining with photo-elastic effect,photo-thermal effect and coupled mode theory.
实验研究了该型长周期光纤光栅的压力和温度特性;结合光纤的弹光效应、热光效应和耦合模理论分析了实验结果。
补充资料：光电效应
| 光电效应 photoelectric effect 物质受到辐照后释放出电子的效应。1887年德国物理学家H.R.赫兹发现电火花间隙受到紫外线照射时会产生更强的电火花。1889年L.霍耳瓦奇发现金属表面受紫外线照射后会释放出带负电的粒子。1900年P.E.A.von勒纳测量了这种粒子的荷质比，证实为电子。金属受到光照后释放出来的电子称光电子。包含阴极和阳极的真空管称光电管。以波长一定的单色光照射光电阴极，测量所加电压V和相应的光电流I，画成伏安曲线如图1。图中每条曲线是在光照强度一定的条件下测得，V0是为使光电流为零所需加的反向电压，称阻遏电压。阻遏电压与光电子的最大初始动能Em的关系为Em=eV0，e为电子电量。测定阻遏电压V0与入射光频率v的关系曲线如图2。
实险表明：①阻遏电压或最大初始动能与光强无关。②阻遏电压V0与频率v成线性关系为V0=k（v-v0），式中K为直线斜率，为普适常数。上式可写成Em=ekv-ekv0。③只有当入射光频率v≥v0时才能产生光电子，v0称为截止频率（或频率的红限）。不同阴极材料有不同的截止频率。④从光照开始到光电子逸出所需时间称为光电效应的弛豫时间，一般不超过10-9秒。
若把光看成是电磁波并运用经典电磁理论，就无法圆满解释上述实验规律。A.爱因斯坦在1905年的论文中指出，不仅谐振子的能量及它所辐射的电磁辐射是量子化的（见普朗克假设），而且辐射场本身也是量子化的，即光本身是由不连续的能量单元组成的能量流，每个单元的能量为hv，称为光量子，简称光子，h为普朗克常数，v为光波频率。根据光子假设，光电阴极中的电子只能整个地吸收光子能量，一部分消耗于从阴极脱出所需作的功，剩下的能量成为光电子的初始动能，即： hv＝Em+W0 说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条
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