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1)  exceptional loads
异常荷重
2)  abnormal charge
异常电荷
1.
SP survey is a traditional geoelectric method, can sensitively reflect the variety of abnormal charges.
自电位(self-potential)测量是一种传统的地电方法，能敏感地反映异常电荷的变化，并且测量方法简单、精度高，观测资料的处理也较容易，因此在条件允许的情况下，常采用此法。
3)  gravity anomaly
重力异常
1.
Using gray forecasting method to extract gravity anomaly of oil and gas;
油气重力异常提取的灰色方法研究
2.
Forward computation of high order derivative of gravity anomaly relating to complex geologic body;
复杂形体重力异常高阶导数的正演计算
3.
Computing the vertical second derivative and upward continuation of gravity anomaly by spline function method;
用样条函数法求重力异常二阶垂向导数和向上延拓计算
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4)  gravity anomalies
重力异常
1.
Based on a 2-D discrete wavelet multi-resolution analysis for gravity anomalies in Eastern Tarim Basin and Tianshan orogenic belt,this paper presents a calculation of the waveleng the wavelength range and the depth of sources for different level details and approximation of Bouger gravity anomalies.
通过对塔里木盆地及天山东部地区布格重力异常的二维离散小波多分辨分析,计算了各阶逼近和细节的波长与场源深度,并对分解结果进行了地质构造解释。
2.
The distribution pattern of Bouguer gravity anomalies in Hefei basin has been described in detail,and the 1st order to the 4th order wavelet details were calculated.
在详细描述合肥盆地布格重力异常的分布特征的同时,给出了布格重力异常小波分析计算不同阶次细节的结果。
3.
This paper researches and developes a gravity anomalies data processing system.
　利用SQLServer建立后台数据库和以面向对象的Delphi语言作为应用程序开发工具,在Win dows2000平台上开发了图形用户界面的重力异常数据处理系统。
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5)  gravity and magnetic anomalies
重磁异常
1.
East-west division of regional gravity and magnetic anomalies on the Qinghai-Tibet Plateau and its tectonic features;
青藏高原区域重磁异常的东西向分区及其构造地质特征
2.
The authors expatiate the physical meanings of three parameters of CA(corresponding analysis) of gravity and magnetic anomalies according to the formula deduction and the result analysis from Poisson's theorem.
从泊松定理出发进行公式推导和分析,阐述了重磁异常的对应分析3个参数的物理意义,并认为在区域重磁数据解释时,对应分析得到的截距是在去掉感磁背景和与重力异常线性相关部分异常的剩磁异常的贡献,为其应用提供了基础。
3.
A simplified formula of gravity and magnetic anomalies of 2 5D polygonal prism is presented and some concrete methods and techniques about visualized modeling, modification, real time forward and inversion are introduced.
给出了２５Ｄ多边形截面棱柱体重磁异常的简化表达式及其偏导数；提供了实用的可视化模型建立、修改、实时正反演中的一些具体方法技术。
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6)  gravitational anomaly
重力异常
1.
Using high-resolution filtering method of gravity-magnetic anomalous apparent-velocity for implementing apparent velocities filtering processing of Bouguer gravitational anomaly in Dongying depression, the horizontal slices from the shallow to the deep are acquired.
应用高分辨率重磁异常视深度滤波方法对东营凹陷布格重力异常进行视深度滤波处理,并获得由浅至深的水平切片。
2.
The algorithms are applied in the gravitation-anomaly measuring system to alleviate the effect of gravitational anomaly on the high-precision gravitation measurement.
为了有效地消除重力异常畸变对海洋重力仪测量精度的影响,得到更高精度的重力异常测量值,根据随机过程理论,分析了重力异常状态方程,并对H∞滤波算法和自适应卡尔曼滤波算法进行了理论对比分析,将其应用到消除重力异常畸变系统中。
3.
Conducting forward calculation of gravitational anomaly according to crastal depth measurement data, crastal thickness of the ragion has bee.
根据地壳测深资料进行重力异常的正演 ,利用变密度反演方法对深源重力异常进行反演得到该区地壳厚度。
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补充资料：半导体的导电与电荷输运


半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一 一一 、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有 肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少 即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有 ，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为 卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕 丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。 对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对 图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴 磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。 强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条