1) disruptive potential gradient
击穿电位梯度
2) disruptive gradient
击穿梯度
3) Rupture potential
击穿电位
1.
Rupture potential measurement method was used to evaluate the anti-corrosion performance of zinc-chromium coating and the results were in consistance with the tests of Rp and icorr meaurements, indicating that the electrochemical method to measure rupture potential can evaluate the anti-corr.
采用击穿电位法测定锌铬膜的耐蚀性能,获得了与腐蚀失重方法和电化学方法相一致的结果,从而认定击穿电位法可以用来评价锌铬膜的耐蚀性能。
4) electric break down strength
电击穿强度
1.
The dielectric constant, dielectric loss, electric break down strength and the dielectric stability of the nanocomposites were tested.
使用Haake-90型双螺杆挤出机制备一系列粘土含量不同的尼龙6/粘土纳米聚合物复合材料,测试其介电常数、介电损耗、介电稳定性能以及电击穿强度,并讨论了粘土含量对纳米复合体系电性能的影响。
5) voltage gradient
电位梯度
1.
The voltage stabilization of high voltage gradient ZnO varistors;
高电位梯度ZnO压敏电阻的高压稳压性能研究
2.
The values of soil voltage gradient,pipe-to-soil potential and stray current of the buried pipeline had been systematically investigated on the spot.
以新大线输油管线杂散电流干扰腐蚀问题为研究对象,进行干扰调查,并现场测试管地电位、土壤电位梯度、土壤电阻率和管线的杂散电流等参数。
3.
The values of soil voltage gradient pipe to soil potential and stray current of buried pipeline have been measured.
测试了土壤电位梯度、管地电位和地下管网的杂散电流 ,结果表明杂散电流干扰是造成地下钢管腐蚀的重要原因 ,为排流或其他保护措施的设计提供了依
6) potential gradient
电位梯度
1.
Indicate: potential and potential gradient parameters of first field can′t reflect the ore, but pure anomaly and apparent resistivity can well reflect.
以点源电流场中的体极化球体为例，通过理论计算总结出当充电点位于地面不同位置和地下不同深度时，不同参数的剖面和平面异常分布规律：一次场电位和电位梯度参数反映矿体能力很差，而纯异常和视电阻率参数反映能力较强；二次场的电位参数反映能力较差，而电位梯度和视极化率参数反映能力较强。
2.
With respect to the characteristics of stray current and the inspection circumstance for urban rails system,a home-made equipment was developed for measuring the pipe-to-soil potential and soil potential gradient of the gas pipelines at Shanghai.
简述了杂散电流引起管道腐蚀的基本原理,针对城市轨道交通杂散电流的特点及测试要求,通过自行研制的设备对上海某煤气管道进行了管地电位和土壤电位梯度的现场检测。
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条