1) device parameter
器件参数，晶体管参数
5) Transistor's parameter retraction
晶体管参数提取
6) device parameters
器件参数
1.
The laws of device parameters varing with process conditions are studied in theory.
并从理论上分析器件参数随工艺条件变化的规律。
2.
The devices produced through all kinds of techniques are finally to be proved their ability by the testing of the device parameters.
基于负载／源牵引法的微波大功率自动测试系统能使用户在完全真实的情况下将已知的负载／源阻抗加到被测器件，从而找到被测器件参数的各种变化和最佳值。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条