1) carrier storage time
载流子存储时间
3) carrier storage effect
载流子存储效应
4) carrier storage
载流存储
5) storage time
储存时间
1.
Effect of storage time on content of paeonol in prepared drug and material drug of Cortex Moutan;
储存时间对牡丹皮药材和饮片中丹皮酚含量的影响
2.
The storage time of molasses has great effect on yeast production.
原糖蜜的储存时间对酵母生产影响较大,事实证明,原糖蜜储存时间越长,对酵母质量带来的不利影响就越小。
6) storage time
存储时间
1.
The models of Monte Carlo method of the storage time of the multiple-tunnel-junction single-electron memory device is established in this paper.
建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影响,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法。
2.
The influence of deposition rate of Si_3N_4 film on storage time of MOS capacitor exists because of its tensile stress,which can be reduced by annealing.
Si3N4薄膜淀积速率对MOS电容器存储时间影响很大。
3.
SAW memory correlator is an excellent non linear effect SAW device fabricated on GaAs substrate,in which piezoelectric characteristic is employed Some sensitive issues related to this device,like storage time and ion implantation ect,are also examined in detai
主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件 ;声表面波存储相关器 ,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题 :如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论 ,希望能对这种信号处理功能优良的器件未来的发展有所裨
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条