1) breakover voltage
导通电压
2) peak on voltage
最大导通电压
3) breakdown voltage / specific on-resistance
击穿电压/比导通电阻
4) forward voltage drop
导通压降
1.
This makes it a low forward voltage drop and high switch speed,and resolves the contradiction between on resistance and turning off time effectively.
这种结构使得功率输出级低侧管导通时工作于IGBT模式 ,关断过程中工作于MOS模式 ,因而具有导通压降小、关断速度快的优点 ,有效地解决了功率管导通电阻和关断速度之间的矛盾 。
6) specific on-resistance
导通电阻
1.
This structure is suitable for breakdown voltage below 300V to obtain ultra-low specific on-resistance.
在低于300V击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有超低的比导通电阻。
2.
The electrical field peaks and the specific on-resistance have been discussed in details.
研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。
3.
8%,and the specific on-resistance is reduced by 87.
用半导体专业软件Tsuprem4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LD MOS增加58。
补充资料：击穿
电介质在强电场作用下丧失原有绝缘性质的现象。固体电介质击穿后，会出现熔化或烧焦的通道，或出现机械损伤的裂纹；气体和液体电介质击穿时会出现电火花。发生击穿的电压值与材料的种类、厚度及使用时的温度、压力等因素有关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条