1) absorption circuit
吸收电路，吸收回路
2) absorption circuit
吸收回路
1.
By using VDMOS field-effect transistors(FET)as the switch elements, the electronic controlling circuits of the PM brushless DC motor, including the main power switch circuit, power driving circuit, absorption circuit, and logic controlling circuit, are designed.
用 VDMOS场效应晶体管作为开关元件 ,设计了稀土永磁无刷直流电机的电子控制线路 ,主要包括 :功率开关主回路 ,功率驱动回路 ,吸收回路 ,逻辑控制电路。
3) snubber circuit
吸收回路
1.
This paper introduces the experimental results of two snubber circuits for the full bridge switch circuit constituted by MOSFETs in case of the inductive load and large current operation.
介绍由ＭＯＳＦＥＴ管构成的全桥开关电路在感性负载下大电流工作时两种吸收回路的实验研究结果。
4) absorbing circuit
吸收电路
1.
This article introduced the antijamming in the NC system design,from the shield(including electric field shield,magnetic screen and electromagnetic field shield) designs mentions,added the absorbing circuit to the perceptual load to suppress the transient state noise to give the specify,might avoid the NC system which disturbed creates softly breakdown.
本文介绍了抗干扰在数控系统中的设计,从屏蔽(包括电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽)设计谈起,对感性负载加吸收电路来抑制瞬态噪声做了详细说明,可避免干扰造成的数控系统的“软”故障。
5) absorption circuit
吸收电路
1.
The reasons of dynamic voltage unbalancing of serial IGBTs are concluded : the differences in the absorption circuit parameters, the time-delays of gate driving signal and the gate driving circuit parameters.
设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpice仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的。
6) snubber circuit
吸收电路
1.
Simulation design of snubber circuit based on P-N junction reverse recovery;
基于P-N结反向恢复过程的吸收电路的仿真设计
2.
Study of delta snubber circuit of GTO converter;
GTO变流器Δ型吸收电路的研究
3.
The causes are discussed from the inner structure of IGBT and the typical countermeasures are summarized,including soft-switching,snubber circuit and new switching component.
从IGBT的内部结构特点出发,讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因,整理了目前国内外常用的一些处理措施,包括软开关技术、吸收电路技术以及研制新的开关元件等。
补充资料：变电所二次回路干扰
变电所二次回路干扰
interference in substa-tion secondary circuits
匕{ondloTlsUo erClh日11u gonroo变电所二次回路干扰(interferenee in sub-station seeondary eireuits)由于短路接地故障、一二次回路操作、雷击以及高能辐射等原因，在变电所的二次回路上引起的电磁干扰。它使接在二次回路上的继电保护和控制设备不正确动作或遭受损坏。干扰电压通过多种途径，如交流电压及电流测量回路、控制回路、信号回路或直接辐射等窜人设备中。需要采取措施对干扰予以抑制并对设备进行保护。 千扰的种类分为50H:干扰、高频干扰、雷电引起的干扰、控制回路产生的干扰及高能辐射设备引起的干扰等。 50H:干扰当变电所内发生高压接地故障，有故障电流注人变电所地网时，位于地网上不同两点间将呈现地电位差.其最大值可达每千安故障电流10V，但因此引起的导线间差电压则甚小。为此，在电流及电压互感器的一次回路的中性线上，必须也只能在地网上的一点接地，如果有两个接地点，当系统发生接地故障时.这两个接地点间的连线上，将窜入上述的工频电压。当这个电压的部分或全部被引人接地回路上的距离继电器和方向继电器或差动电流回路中时，将可能使之拒绝动作或误动作。这类情况，在实际运行的电力系统中，不止一次地发生过。同样，当把中性线在开关场分别接地的几组电流或电压互感器引人有共同接地的测试设备时，也需要先经过隔离变压器隔离。 电压与电流互感器的安全接地，是否必须设在开关场，国际上没有统一的做法。有的国家建议在控制室接地，以保证人身与连接设备的安全，而有的国家则主张在开关场接地，以最好地保护互感器的二次绕组绝缘。 高频干扰当变电所开关设备操作或系统故障时，会在二次回路上引起高频干扰。当高压隔离开关切合高压带电空母线时，将产生每秒二三百次的再点弧过程，每次再点弧都产生很陡前沿的电流与电压波，传向母线并经各种电容器设备注人地网。进行波在每一断点处都产生反射.从而产生各种高频振荡.其较高频率主要决定于母线参数，较低频率则决定于母线与接地设备电容参数.其频率范围一般为50kHz到IMHz，也有达SMH:的，并经过3一6个振荡周期.幅值衰减为初始值的一半。对于SF。绝缘变电所，因尺寸较小，其振荡频率将高达15~20MHz。这些高频振荡与二次回路藕合，感生出干扰电压.而尤以电容式电压互感器的二次回路最为突出，如果不采取措施，在二次回路上的这种高频共模干扰电压可高达10 kV以上。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条