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1)  crystalline-silicon TFT
水晶硅TFT
2)  a-Si TFTs
非晶硅TFT
3)  polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs)
多晶硅TFT
1.
Device degradation of solution-based metal-induced laterally crystallized (MILC) p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs) is studied under dc bias stresses.
晶粒间界(Grain Boundary, GB)缺陷态的产生和NBTI退化具有相同的时间幂指数n,表明了在多晶硅TFT的退化中晶界缺陷态的产生起着关键作用。
4)  poly-si TFT circuits
多晶硅TFT电路
5)  amorphous silicon thin-film transistor (a-Si:H TFT)
非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)
6)  TFT LCD
TFT液晶
补充资料:水晶硅

水晶硅

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