1) mobility limitation
迁移率极限
2) polar mobility
极性迁移率
3) limiting transition probability
极限转移概率
4) ambipolar effective mobility
双极性有效迁移率
5) positive shift
积极迁移
6) mobility
[英][məʊ'bɪləti] [美][mo'bɪlətɪ]
迁移率
1.
An analytical model of mobility in nano-scaled n-MOSFETs;
纳米MOSFET迁移率解析模型
2.
Introduction of the concept mobility in electromagnetics;
在电磁学中介绍迁移率的概念
3.
The Localized State, Extended State of Electron and Mobility Edges in Asymptotic Quasiperiodic Potentials;
渐近准周期势场中电子的局域态、扩展态和迁移率边界
补充资料：迁移率
分子式：
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
CAS号：
性质：又称淌度。单位电场强度下，带电粒子的移动速率。它与当量电导有简明的关系，即Λi=uiF。式中i表示第i种离子，Λ为当量电导，u为迁移率，F即法拉第常数。迁移率是决定物质电导率的因素之一。半导体中载流子获得漂流速度，叫做载流子的迁移率。以μ表示载流子的迁移率，E表示电场强度，v表示载流子在电场的漂移速度，则v=μE。Μ与半导体中的杂质浓度、缺陷密度、温度及载流子有效质量有关。在电泳时带电目的物质在电场中移动的速度被通过支持物电场强度所除，通常以cm2/(s·V)表示。在层析中系指层析液移动速度与目的物质移动速度之比，常用Rf表示。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条