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1)  lithium drifted germanium semiconductor detector
锂漂移锗半导体探测器
2)  Ge(Li)de-tector
锂漂移锗探测器
3)  cooled lithium ion-drifted semiconductor detector
冷却锂离子漂移半导体探测器
4)  lithium drifted germanium detector
锗锂漂移型探测器
5)  germanium semiconductor detector
锗半导体探测器
6)  lithium drifting detector
锂漂移探测器
补充资料:锂漂移锗探测器
分子式:
CAS号:

性质:系指用锂漂移方法制成的具有大耗尽区的半导体锗探测器。锂是一种施主物质,其外层只有1个容易失去的电子,且锂离子半径很小,只有0.06nm,而锗的晶格间距为0.564nm,因此锂离子在锗晶格的间隙处易于漂移,形成较厚的耗尽区。根据几何形状不同,可分为平面型、单开端同轴型、双开端同轴型、井型等。由于其产生电子空穴对的能量只有2.96eV,因此能量分辨率高是它最主要的优点。20世纪80年代曾起过重要作用,现已被高纯锗探测器所取代。

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