补充资料：锂漂移锗探测器

分子式：
CAS号：

性质：系指用锂漂移方法制成的具有大耗尽区的半导体锗探测器。锂是一种施主物质，其外层只有1个容易失去的电子，且锂离子半径很小，只有0.06nm，而锗的晶格间距为0.564nm，因此锂离子在锗晶格的间隙处易于漂移，形成较厚的耗尽区。根据几何形状不同，可分为平面型、单开端同轴型、双开端同轴型、井型等。由于其产生电子空穴对的能量只有2.96eV，因此能量分辨率高是它最主要的优点。20世纪80年代曾起过重要作用，现已被高纯锗探测器所取代。

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