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1)  imperfect dislocation
不完全位错
2)  not altogether wrong
不完全错
3)  perfect dislocation
完全位错
4)  imperfect debugging
不完全排错
1.
An optimal software release management model under imperfect debugging;
一种在不完全排错条件下的最优软件发行管理模型
2.
This paper presents an optimal software release policy model under imperfect debugging.
本文提出了一种新的最优软件发行管理模型,该模型既考虑了软件的不完全排错过程,又考虑了在排错过程中可能会引入新的故障,同时还考虑了由于排错经验的不断积累,软件的完全排错概率会增加的情况。
3.
The character of software debugging process is considered, the method for improving to the hypothesis of \!perfect debugging\" in Reliablity Growth Model nowdays is given, a hypothesis of \!imperfect debugging\" which is more suits to realistic situation is presented.
在充分地考虑了软件排错过程特点的基础上,将现有的可靠性增长模型中“完全排错”的假设修改为“不完全排错”,使之更符合实际情况。
5)  partial dislocation
不全位错
1.
On the basal plane, dislocations and dislocation networks dissociate into partial dislo-cations and partial dislocation networks.
给出了具有层状结构的硫化钼(MoS_2)中位错的透射电镜(TEM)观察结果在基面上,位错和位错网络常分解成不全位错和不全位错网络利用衍衬效应分析了这些位错的Burgers矢量、材料的层错能可由扩展结估算
6)  Shockley partial dislocation
Shockley不全位错
1.
The effect of pre-deformation on the damping capacity was studied and the effect of the movement of Shockley partial dislocation on the damping capacity of FeMnCr alloy was analyzed by dislocation theory.
研究了不同的预变形量对FeMnCr合金阻尼性能的影响,并根据位错运动理论,分析了Shockley不全位错的运动对该合金阻尼性能的影响。
2.
This can be explained using the breakaway model of Shockley partial dislocations.
结果表明,3种合金的阻尼性能都随着应变振幅的增加呈现近似线形增加,这可以通过Shockley不全位错的脱钉运动来解释;Si元素增加了Fe-Mn合金的层错几率和Shockley不全位错数量,但是由于原子半径的差异,其引起的晶格畸变很大,产生的空位等缺陷钉扎了Shockley不全位错的运动,因此显著降低了Fe-Mn合金的阻尼性能;Cr元素略微降低了Fe-Mn合金的层错几率和Shockley不全位错数量,但其产生的晶格畸变没有Si大,所以Fe-17Mn-2Cr合金的阻尼性能略有下降但程度小于Fe-19Mn-1。
3.
TB migration via Shockley partial dislocations emitted from the TB/grain boundary intersections and twin steps was found to be the dominant deformation mechanism in the initial stage of plastic straining.
实验发现,与以往分子动力学模拟计算预测的结果不同,Shockley不全位错主要从孪晶界与晶界的交叉点处发射,沿着孪晶界面运动,导致孪晶界移动。
补充资料:错列管排
分子式:
CAS号:

性质:管束排列的一种方式,如图所示为错列管排。错列有等边三角形(图a)和正方形(图b)两种(图暂缺)

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参考词条