1) emissary dislocations
发射位错
2) dislocation emission
位错发射
1.
TEM observation of dislocation emission and nano-crack nucleation;
位错发射与纳米裂纹形核的TEM实验观察
2.
The results showed that chemisorption of Hg atoms could facilitate dislocation emission and motion.
结果表明：加载裂纹吸附Hg原子后能促进位错的发射、增殖和运动；当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时，脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展。
3.
The results showed that chemisorption of liquid metal atoms could facilitate dislocation emission,multiplication and motioll.
结果表明：液体金属吸附后能促进位错的发射、增殖和运动；当吸附促进位错发射和运动达到临界状态时，脆性微裂纹就在原裂纹顶端或在无位错区中形核并解理扩展。
3) emitting screw dislocation
发射螺位错
4) dislocation emission and motion
位错发射和运动
1.
In situ tensile test in TEM showed that a dislocation-free zone (DFZ) formed ahead of a loaded crack tip when dislocation emission and motion reached equilibrium under keeping constant displacement, and a microcrack initiated after the dislocation emission and motion developed to a certain condition through increasing load.
结果表明，氢能促进位错的发射、增殖和运动 和未充氢纯Ｎｉ相比，充氢试样在更低的外应力下位错就会发射和运动，当氢促进的位错发射和运动到临界条件时就会使氢致裂纹形核、扩展，导致低应力脆断。
5) dissolution facilitating dislocation emission
溶解促进位错发射
6) dislocation scatter
位错散射
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条