1) electron probe analyzer
电子探针分析器
2) electronic
电子
1.
Development of an electronic optometer based on SCM;
单片机电子视力计的研制
2.
Clinical analysis on liposuction adopting electronic liposuction machine;
医用电子去脂机行抽脂术临床效果分析
3.
Research on the development of automobile electronic information industry ——based on the theory of industry growth;
基于产业成长理论的中国汽车电子信息产业发展研究
3) electron
电子
1.
Mixed proton-electron conductors for hydrogen permeation;
质子-电子混合导体透氢膜
2.
Study of ion catch technology of electron microscopy in virus detection of patient s excrement;
离子扑捉电子显微镜技术检测患者粪便中病毒的方法
3.
Teaching research on electric and electron speciality oriented art recruiting students;
面向文科招生的电气、电子专业教学研究
4) electrons
电子
1.
A comparison of ionizing radiation damage in CMOS devices from ~(60)Co Gamma rays,electrons and protons;
CMOS器件~(60)Coγ射线、电子和质子电离辐射损伤比较
2.
In order to study avalanche ionization mechanism, it is inevitable to deal with rates of electrons absorbing and losing energy.
研究雪崩破坏机理,必然涉及到电子吸收激光能量的速率和电子损耗能量的速率,这些都与电子和声子的散射有密切的联系。
3.
N-channel MOS transistors from CC4007,CC4011 and LC54HC04RH device were irradiated with different dose rate Co-60 gamma rays,lower energy protons(less then 9MeV)and 1MeV electrons.
利用不同剂量率γ射线、低能 (小于 9MeV)质子和 1MeV电子对CC40 0 7RH、CC40 11、LC5 4HC0 4RHNMOS FET进行了辐照实验 ,结果表明 ,在 +5V偏置条件下 ,9MeV以下质子造成的损伤总是小于60 Co,而且质子能量越低 ,损伤越小 ;对于同等的吸收剂量 ,1MeV电子和60 Co造成的损伤差别不大 ;在高剂量率γ射线辐射下 ,氧化物陷阱电荷是导致器件失效的主要原因 ,在接近空间低剂量率辐射环境下 ,LC5 4HC0 4RH电路失效的主要原因是辐射感生界面态陷阱电荷 ,而CC40 0 7RH器件则是氧化物陷阱电荷 。
5) electronics
电子
1.
Through introducing the TCA substitute technical and solvent in mental,electronics and precision cleaning industry,summing up some of the characteristics of alternative solvents,this article introduces some examples of alternative technologies on the process characteristics and its application,while for domestic enterprises to implement TCA offers eliminated the choice of alternative principles.
通过介绍金属清洗、电子清洗和精密清洗领域的α-三氯乙烷(TCA)替代溶剂及其相关替代的技术,总结了部分替代溶剂的特点,并以实例介绍了部分替代技术的工艺特点及其应用,同时为国内相关企业实施TCA淘汰提供了TCA替代品的选择原则。
2.
This article summarizes the development trend and direction of the traffic electronics.
概括介绍了交通电子的发展动向及未来趋势。
3.
At the base of studying cultivating model of the same talents in other countries,we raised the construction and imagination of the practice teaching system of electronics of our higher vocational school.
为了实现从制造业大国向制造业强国的转变,中国急需大量的高级技能型人才,通过对国外同类人才的培养模式的研究,初步提出了我国高等职业学校电子专业实践教学体系的构建与设想。
6) delta electron
电子
7) pi electron
电子
8) sigma electron
电子
9) delta ray
电子
10) negaton
电子
补充资料：电子探针分析
以聚焦的高速电子来激发出试样表面组成元素的特征X射线,对微区成分进行定性或定量分析的一种材料物理试验,又称电子探针X射线显微分析。电子探针分析的原理是：以动能为10～30千电子伏的细聚焦电子束轰击试样表面，击出表面组成元素的原子内层电子，使原子电离，此时外层电子迅速填补空位而释放能量，从而产生特征X射线。
用波长色散谱仪（或能量色散谱仪）和检测计数系统,测量特征X射线的波长（或能量）和强度，即可鉴别元素的种类和浓度。
在不损耗试样的情况下，电子探针通常能分析直径和深度不小于1微米范围内、原子序数4以上的所有元素；但是对原子序数小于12的元素，其灵敏度较差。常规分析的典型检测相对灵敏度为万分之一，在有些情况下可达十万分之一。检测的绝对灵敏度因元素而异，一般为10-14～10-16克。用这种方法可以方便地进行点、线、面上的元素分析，并获得元素分布的图象。对原子序数高于10、浓度高于10％的元素，定量分析的相对精度优于±2％。
电子探针仪是 X射线光谱学与电子光学技术相结合而产生的。1948年法国的R.卡斯坦制造了第一台电子探针仪。1958年法国首先制造出商品仪器。电子探针仪与扫描电子显微镜在结构上有许多共同处。70年代以来生产的电子探针仪上一般都带有扫描电子显微镜功能，有的还附加另一些附件，使之除作微区成分分析外，还能观察和研究微观形貌、晶体结构等。
电子探针仪（图1）主要包括：探针形成系统 (电子枪、加速和聚焦部件等)、X射线信号检测系统和显示、记录系统、样品室、高压电源和扫描系统以及真空系统。
电子探针的最早应用领域是金属学。对合金中各组成相、夹杂物等可作定性和定量分析，直观而方便，还能较准确地测定元素的扩散和偏析情况。此外，它还可用于研究金属材料的氧化和腐蚀问题，测定薄膜、渗层或镀层的厚度和成分等，是机械构件失效分析、生产工艺的选择、特殊用材的剖析等的重要手段。图2为镁合金中稀土氧化物在晶界析出的电子探针分析照片。
参考书目
S.J.B.里德著，林天辉、章靖国译：《电子探针显微分析》,上海科学技术出版社,上海,1980。(S.J.B.Reed,Electron Microprobe Analysis,Cambridge Univ.Pr.,London,1975.)
用波长色散谱仪（或能量色散谱仪）和检测计数系统,测量特征X射线的波长（或能量）和强度，即可鉴别元素的种类和浓度。
在不损耗试样的情况下，电子探针通常能分析直径和深度不小于1微米范围内、原子序数4以上的所有元素；但是对原子序数小于12的元素，其灵敏度较差。常规分析的典型检测相对灵敏度为万分之一，在有些情况下可达十万分之一。检测的绝对灵敏度因元素而异，一般为10-14～10-16克。用这种方法可以方便地进行点、线、面上的元素分析，并获得元素分布的图象。对原子序数高于10、浓度高于10％的元素，定量分析的相对精度优于±2％。
电子探针仪是 X射线光谱学与电子光学技术相结合而产生的。1948年法国的R.卡斯坦制造了第一台电子探针仪。1958年法国首先制造出商品仪器。电子探针仪与扫描电子显微镜在结构上有许多共同处。70年代以来生产的电子探针仪上一般都带有扫描电子显微镜功能，有的还附加另一些附件，使之除作微区成分分析外，还能观察和研究微观形貌、晶体结构等。
电子探针仪（图1）主要包括：探针形成系统 (电子枪、加速和聚焦部件等)、X射线信号检测系统和显示、记录系统、样品室、高压电源和扫描系统以及真空系统。
电子探针的最早应用领域是金属学。对合金中各组成相、夹杂物等可作定性和定量分析，直观而方便，还能较准确地测定元素的扩散和偏析情况。此外，它还可用于研究金属材料的氧化和腐蚀问题，测定薄膜、渗层或镀层的厚度和成分等，是机械构件失效分析、生产工艺的选择、特殊用材的剖析等的重要手段。图2为镁合金中稀土氧化物在晶界析出的电子探针分析照片。
参考书目
S.J.B.里德著，林天辉、章靖国译：《电子探针显微分析》,上海科学技术出版社,上海,1980。(S.J.B.Reed,Electron Microprobe Analysis,Cambridge Univ.Pr.,London,1975.)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条