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1)  storage bit
存储位
2)  dislocation storage
位错储存
3)  storing position
储存部位
1.
Synthesizing site and storing position of essential oil in Pogostemon cablin;
广藿香挥发油的合成场所及储存部位研究
4)  bit memory
位存储
5)  stored carry
存储进位
6)  carry sgotrage
进位存储
补充资料:不全位错


不全位错
partial dislocation

不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界,也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例,最常。二‘。一‘,,,、~,,一一,、,、二加,‘爪1,,,八、~,.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘,~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层,并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错,此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错, 1‘,,。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错,正弗兰克不全位错,。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在,所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移,而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外,在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中,不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错,其间以层错带相联,通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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