1) denotative definition
外延定义外延定义
2) definition of extension
外延定义
3) denotative meaning
外延意义
1.
This paper focuses its analysis on the four aspects of meaning of an English word,namely,the denotative meaning showing the relation between meaning and things,the grammatical meaning showing the relation between mean- ing and grammar,the connotative meaning showing the relation between meaning and people and the translational meaning between words of different languages.
着重探讨和分析了英语词汇四个方面的语义,即:表示语义和事物关系的外延意义;表示语义和语法关系的语法意义;表示语义和人的关系的内涵意义;不同语言词汇之间的翻译意义。
2.
This essay studies the idioms with figures between Russian and Chinese,according to the grammatical category,rhetorical devices and ways of expression,explores the connotative meaning,denotative meaning,as well as the corresponding relationship of Russian and Chinese cultures.
针对以成素为"数字概念"的俄汉成语,按其语法类别和表达方式来探讨两个民族文化的内涵意义、外延意义及其对应关系。
4) Extensional Semantics
外延语义
1.
The article made a brief analysis and study on the determiners and modifiers: two problems in extensional semantics of Formal semantics.
文章就形式语义学外延语义中的两个问题:限定词和修饰语作简要的分析探讨,认为限定词和修饰语都是用以说明和限制主谓关系及意义的。
5) extensionalism
外延主义
1.
Based on the controversy between intensionalism and extensionalism, the paper presents a systematic study of Frege\'s sense and reference as follows.
本文论述了Frege涵义和指称理论的基本思想以及面临的困境,在此基础上总结了Frege涵义和指称理论问题的两种解决方案,并且指出Frege涵义和指称理论仍然有无法克服的悖论问题;然后提出了发展Frege涵义和指称理论的出路,并在内涵主义和外延主义之争的背景下对Frege涵义和指称理论进行了逻辑哲学的系统研究。
6) Lexical Denotation
词义外延
补充资料：半导体外延生长
半导体外延生长
epitaxial growth of semiconductors
半导体外延生长即itaxial盯owth of semieon.ductors将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如GaAs层沉积在GaAs衬底上;而当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如GaAIAs层沉积在GaAs衬底上。 外延条件与特征根据外延的定义，通常需要满足两个条件:①外延层和衬底的晶体结构必须具有相同的结晶空间群;②外延层和衬底的晶格参数必须尽量匹配。所谓尽量匹配，至今尚无定论，但有一般规律。如果晶格失配度定义为 。=(aL一隽)/aAv，(式中al_和绳分别为外延层和衬底的晶格参数，吸v为其平均值)，则当。蕊10一时，外延生长将使外延层产生晶格变形，以便穿越衬底和外延层，保持真正的晶格平面连续性;当:>10一时，则界面将产生失配位错等缺陷，以调节衬底和外延层之间存在的晶格失配和增加外延层成核困难的趋势。 与体单晶生长相比，外延生长具有下列优点:①外延温度比体单晶的熔点低，可减少杂质沾污;②可采用经过提纯的高纯原料，提高半导体的纯度;③可实现异质外延;④可制备多层和超薄层，甚至超晶格和原子层结构材料;⑤可控制外延层厚度、掺杂浓度和改变导电类型等。 外延方法及制备近10年来，外延生长的工艺和理论都有很大进展。选择合适的外延方法，不但可以获得高纯度、低位错、突变界面、高生产率、高均匀性和良好重复性的半导体材料，而且能够进行单原子层的外延，即所谓原子层外延(ALE)和原子层掺杂。后者为研究突变界面结构材料和在原子级水平上理解同质和异质外延的机理提供十分重要的信息。 随着半导体异质结制备，大面积集成、光电集成、超晶格与相应结构的发明和创造，使半导体材料、器件及电路进入新的水平，而这些结构只能用外延方法制备。常用的外延方法主要有4种:①气相外延(VPD。在51外延中常称化学气相沉积(CVD)。VPE与CVD的区别在于后者既包括外延又包括非外延。在VPE中反应物在流动气流中输运至衬底，然后进行沉积。金属有机化合物气相外延(MOVPE)是VPE中一种较新的工艺。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条