1)  mos diode
mos 二极管
2)  diode
二极管
1.
Study on Polyimides Adhesive for Silicon Diode Inside Insulation Protection;
硅二极管内层聚酰亚胺保护胶的研制
2.
Digital calibration and compensation technologies of diode power meter;
二极管功率计的数字校准补偿技术
3.
Twelve phase rectifier diode power consumption and simulated calculating of temperature increasing rate of junction and case;
十二相整流器二极管功耗和结壳温升仿真计算
3)  photodiode
光二极管
4)  PIN diodes
PIN二极管
1.
5μm thick I-region GaAs pin diodes and a series-shunt-shunt switch topology in each arm.
基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关。
2.
The model of the state of forward bias and reverse bias of PIN diodes is fabricated using RF simulation software ADS(advanced design system),and the method of optimizing the key parameter of phase shifter using the sensitivity analysis module of ADS is also discussed.
利用射频仿真软件ADS(Advanced Design System)构建了PIN二极管的正反偏模型,讨论了运用ADS的灵敏度分析模块辅助优化移相器关键参数的方法,并基于该方法设计出了一种X波段四位数字移相器,其工作频率为9。
3.
GaAs PIN diodes with different structures are fabricated,testing data of PIN diodes with usual and improved structures are compared,and the results of analysis in theory are proved.
设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管。
5)  pin diode
PIN二极管
1.
Effect of temperature on power response of PIN diode limiter;
温度对PIN二极管限幅器功率响应特性的影响
2.
Overshoot phenomena in PIN diode under EMP with fast rise time;
快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象
3.
Wide band GaAs PIN diode SPST switch MMIC is presented in this paper.
采用GaAs PIN二极管,完成1~26。
6)  body diode
体二极管
1.
MOSFETs with good body diode characteristics and ruggedness are needed in manyhigh voltage switching applications.
在许多高电压开关应用当中,都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。
7)  body-diode
体二极管
1.
As the improvement of the load current,the conduction loss and reverse recovery loss of synchronous rectifier′s body-diode becomes more prominent.
低电压大电流开关电源大多采用基于同步整流的Buck拓扑,而随着输出电流的不断提高,同步整流管中体二极管的导通损耗和反向恢复损耗越来越成为提高效率的瓶颈。
8)  silicon diode
硅二极管
9)  diodes
二极管
1.
Prototype Schottky barrier diodes with high.
在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件 ,与传统的硅基肖特基二极管相比截止频率有了大幅提
2.
Experiments show that,diodes in the current equation m value is the forward voltage and current of the quantity of change for germanium diodes,m there is a minimum,the silicone tube,m value with positive voltage and current increases.
对二极管电流方程在实际应用中存在的问题进行了分析。
10)  Schottky diode
Schottky二极管
补充资料:Mo
mo
mo

mo是英文magnet-optical的缩写,是指利用激光与磁性共同作用的结果记录信息的光磁盘。mo盘用来存储信息的媒体与软磁盘相似,但其信息记录密度和容量却比软磁盘高的多。这是由于记录时在盘的上面施加磁场,而在盘下面用激光照射。磁场作用于盘面上的区域比较大,而激光通过光学系统聚焦于盘面的光点直径只有1~2微米。在受光区域,激光的光能转化为热能,并使磁性层受热而变的不稳定,即变的易受磁场影响。这样,在直径只有1~2微米的极小区域内就可记录下一个单位的信息。通常的磁性记录方式存储一个单位的信息时,要占用相当大的区域,因而磁道也相应变宽,盘上记录信息的总量也就很小。

mo盘片虽然比硬盘和软盘便宜和耐用,但是与cd-r盘片相比就显得比较昂贵了。mo的致命缺点是不能用普通cd-rom驱动器读出,因而不能满足信息社会对计算机数据进行交换和数据分发的要求,在网络技术和网络建设不发达的地方,这一问题日驱突出和严重。

元素符号: mo 英文名: molybdenum 中文名: 钼

相对原子质量: 95.94 常见化合价: +2,+3,+6 电负性: 2.16

外围电子排布: 4d5 5s1 核外电子排布: 2,8,18,13,1

同位素及放射线: mo-91[15.5m] mo-92 mo-93[3500y] mo-94 mo-95 mo-96 mo-97 *mo-98 mo-99[2.74d] mo-100 mo-101[14.6m]

电子亲合和能: 114 kj·mol-1

第一电离能: 685 kj·mol-1 第二电离能: 1558 kj·mol-1 第三电离能: 2618 kj·mol-1

单质密度: 10.22 g/cm3 单质熔点: 2617.0 ℃ 单质沸点: 4612.0 ℃

原子半径: 2.01 埃 离子半径: 0.59(+6) 埃 共价半径: 1.3 埃

常见化合物: moc moo2 mof6

发现人: 舍勒、埃尔姆 时间: 1778 地点: 瑞典

名称由来:

希腊文:molybdos(铅)。

元素描述:

坚硬的银白色金属。

元素来源:

见于辉钼矿(mos2)和钼铅矿(moo4pb)中。

元素用途:

钼的合金通常应用于飞机、导弹,以及锅炉钢板的保护层里。

mo,message original的缩写,意为短信上行

分子轨道理论(mo法)

molecular orbital theory

价键理论着眼于成键原子间最外层轨道中未成对的电子在形成化学键时的贡献, 能成功地解释了共价分子的空间构型,因而得到了广泛的应用。 但如能考虑成键原子的内层电子在成键时贡献, 显然更符合成键的实际情况。1932年,美国化学家 mulliken rs和德国化学家hund f 提出了一种新的共价键理论——分子轨道理论(molecular orbital theory),即mo法。该理论注意了分子的整体性,因此较好地说明了多原子分子的结构。 目前, 该理论在现代共价键理论中占有很重要的地位。

分子轨道理论的要点:

1.原子在形成分子时,所有电子都有贡献,分子中的电子不再从属于某个原子,而是在整个分子空间范围内运动。在分子中电子的空间运动状态可用相应的分子轨道波函数ψ(称为分子轨道)来描述。分子轨道和原子轨道的主要区别在于:(1)在原子中,电子的运动只受 1个原子核的作用,原子轨道是单核系统;而在分子中,电子则在所有原子核势场作用下运动,分子轨道是多核系统。(2)原子轨道的名称用s、p、d…符号表示,而分子轨道的名称则相应地用σ、π、δ…符号表示。

2.分子轨道可以由分子中原子轨道波函数的线性组合(linear combination of atomic orbitals,lcao)而得到。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条