1) subideal
子理想
2) Ideality factor
理想因子
1.
Research on the ideality factor of GaN light-emitting diodes on Si substrate;
Si衬底GaN基LED理想因子的研究
2.
The ideality factor and the barrier height of Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure are calculated by I-V measurement in a wide temperature range.
通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算。
3.
An ideality factor of n=3 and a series resistance of RS=93Ω are obtained from the forward current-voltage curve of the device.
从器件的正向I-V特性曲线计算了理想因子n与串联电阻RS分别为3和93Ω。
3) ideal rotor
理想转子
1.
Rub-impact movement of a ideal rotor is under consideration based on the Poicare map in the paper.
应用poincare映射方法对理想转子碰摩运动的单碰运动进行分析,通过严格的理论推导,得出了理想转子单点刚性碰摩的存在条件,并指出当激振力的频率(ω)与系统的固有频率(ω0)比值(ω)为无理数时,周期性的单碰运动是不存在的;导出了判断理想转子周期性碰摩运动稳定性的特征方程。
4) ideal factor
理想因子
1.
Before gate metallization,experiment were made through different surface treatment methods and results show that the Schottky characteristics can be improved,but reverse leakage current and ideal factor can not be obtained fundamentally.
在栅金属化前,采用不同的表面处理方法进行实验,发现通过表面处理,栅肖特基特性得到一定的改善,但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。
2.
It is found that in the backward voltage segment of the I-V curve the leakage current is larger because of deep-level-assistant tunneling;under little forward voltage metal gathers along with the dislocations thus leads to leakage current;in the generation-recombination and diffusion current segments the restriction from MQWs leads to larger ideal factor;low imp.
结果表明,相对理想情形,特性曲线的反向偏压区漏电因深能级隧穿偏大;正向小偏压下因沿着位错汇聚金属产生漏电流;产生-复合电流区和扩散电流区因多量子阱限制而理想因子偏大;由于有源区低掺杂,在10 A/cm2就开始形成大注入区;在大电流下也因为串联电阻分压而形成串联电阻区。
3.
After annealing the barrier height and the ideal factor of the diode increased from 0.
计算了退火前后该器件的理想因子、势垒高度。
5) operator ideal
算子理想
1.
On the reflexive cosingular operator ideals;
关于弱自反余奇异算子理想
2.
On the reflexive singular operator ideals;
关于弱自反奇异算子理想
6) Ideal subgraphs
理想子图
补充资料：除子理想
除子理想
divisorial ideal
除子理想[成、触州目汕图l;及.皿，oP“a刀切碱助e.几] 一个交换整环A中的分式理想〔fxactiona{j山川)a，使得a”A:(A:a)(这里A:a表示环A的分式域中满足xa三A的元素x的集合).一个除子理想有时称为环的一个除子(di姑or).任取一个分式理想Q，了=A:(A:a)总是除子理想，环A的除子理想集合D(A)是一个具有格序的交换么半群，两除子理想。和b的乘积定义为a·b，整除子理想被认为是正的(positive)或有效的.么半群D(A)是一个群，当且仅当环A是完全整闭的，这时A:a是除子a的逆. 通常在Krt山环(即N忱ther整闭环)中考虑除子理想.这时高度为1的素理想是除子理想并组成除子Abel群D(A)的基.事实上，这个结果应归功于E.Artin和B.L.van derw比n址们“1」)，作为他们关于理想的拟相等理论的一部分(两个理想a和b称为拟相等的(quasi一叫ual)，是指百一百).这个理论形成宁应世代数的一个主要分支—理想分解的研究. 主分式理想和可逆分式理想都是除子理想，并分别形成D(A)的子群F(A)和J扭).商群D认)/F(A)=C(A)和J(A)/F(A)=入(A)分别称为A的除子类群(di卿rc比gro叩)和巧口川群(Pica己gro叩).
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条