1) SEC
[英][sek] [美][sɛk]
线圈系误差校正
2) sonde error
线圈系误差
5) Error correction
误差校正
1.
Voltage flicker measurement and its error correction based on DSP platform;
基于DSP平台的电压闪变测量及其误差校正
2.
The simulation results show that the system precision and robust is greatly improved through generalized predictive control and output error compensation instead of error correction.
仿真结果表明:采用广义预测控制并用预报误差代替一般的误差校正算法,液压弯辊板形控制系统精度和鲁棒性明显提高。
3.
A dynamic error correction ele ment is supplemented.
为此，作者提出了对干点进行神经网络在线软测量的策略，以塔顶温度为主要输人变量，并以工艺机理计算出的塔顶油气分压和顶循取热量为辅助变量，利用过程的历史测量和分析数据将过程的输出实时地估计出来，而且通过附加的动态误差校正，保证长期在线运行的可靠性。
6) error calibration
误差校正
1.
This paper proposes an error calibration strategy,using the two-step iterative parameter estimation algorithm to solve this problem,which is combining the non-linear parameters into linear parameter,estimating the states using Kalman filter and then getting the original parameter using Gauss-.
基于椭圆假设的参数估计目前是解决数字式磁罗经误差校正问题的较为先进的方法,然而对该方法中的非线性参数估计问题采取了扩展卡尔曼滤波的办法来解决,这造成误差在测量过程中的发散。
2.
Combining with correlative mathematics principle,Least Square Regression(LSR) is imported to set up error calibration scheme.
测距是无线传感器网络定位的基础,基于TDOA的测距有较高的精度;分析现有的基于TDOA的无线传感器网络定位系统与算法,使用基于超声波传感器和无线射频模块的TDOA测距技术,并针对测距过程中存在的误差,提出一种新的误差补偿和校正方法;该方法在对TDOA误差源及其影响行为进行详细分析的基础上,建立了测距误差模型;对影响较大的误差因子给予单独校正,并结合相关数学原理,引入了最小二乘回归,建立了误差校正的方案;实验结果表明,该方法有效地减小了测距误差的影响,从而提高了系统定位精度。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条