1) screen-grid charasteristic
帘栅极特性
2) gate characteristics
栅极特性
1.
Based on the hydrodynamic energy transport model, the port electrical characteristics of groovedgate PMOSFET′s are studied, including gate characteristics, drain characteristics and hotcarriereffects.
基于流体动力学能量输运理论,对槽栅PMOSFET器件的端口特性进行了仿真研究,包括栅极特性、漏极驱动能力和抗热载流子性能等。
3) anode screening grid
帘栅极
4) screen grid
帘栅极,屏栅极
5) screen-grid bias
帘栅极偏置
6) screen dissipation
帘栅极损耗
补充资料:功率场效应晶体管栅极驱动电路
使功率场效应晶体管按信号的要求导通或截止的电路。用于控制电力电子电路中的功率场效应晶体管的通断。功率场效应晶体管是电压控制器件,只要栅极驱动电路提供合适的栅极电压,即能保证元件的可靠通断。因栅极驱动电流较小,所以驱动电路比较简单。在工作频率较低的应用场合,常用集成逻辑电路或集成模拟电路等直接驱动功率场效应晶体管。图1是用集成与非门直接驱动功率场效应晶体管的电路。当与非门输出高电平时,功率场效应晶体管导通;当与非门输出低电平时,功率场效应晶体管关断。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件,但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时,要求驱动电路的输出电阻较小,以提高栅极输入电容的充放电速度;另一方面,要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下,需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小,驱动功率大。
功率场效应晶体管能作为高速开关器件,但必须使用与其相适应的高速驱动电路。在高频应用时,要求驱动电路的输出电阻较小,以提高栅极输入电容的充放电速度;另一方面,要求驱动电路的驱动功率较大。在用同一个控制电路驱动不同电位的功率场效应晶体管的情况下,需将控制电路和功率场效应晶体管之间用光耦合器或脉冲变压器隔离。图2是光耦合器隔离的栅极驱动电路。它采用互补晶体管输出。输出阻抗小,驱动功率大。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条