1) non-black-body
非黑体
2) Kerr nonlinear blackbody
克尔非线性黑体
1.
Investigation of photonic superfluidity in a Kerr nonlinear blackbody;
克尔非线性黑体中光超流态的研究
2.
According to the Plank formula,we derived the spectral energy density and radiation pressure of the thermal radiation in the kerr nonlinear blackbody,and compared their figures with those of normal blackbody.
发现,克尔非线性黑体的辐射能量密度和辐射压强都要比普通黑体大,非线性黑体中的热辐射能量密度和辐射压强随着温度和频率的改变有着规律的变化。
3.
In a Kerr nonlinear blackbody, a photon blackbody field is a squeezed thermal radiation state.
在克尔非线性黑体中,光子黑体场处于压缩的热辐射态,有相反波矢量和螺旋量的裸光子结合成光子对,不成对的裸光子将转换成一种新的准粒子——非极化激元。
3) non-black control element
非黑体控制元件
4) The bold print stands out very well.
黑体字非常醒目。
5) Black body
黑体
1.
Presents two factors of black body cavity′s accuracy according to Kirchhoff′s law,and gives a theoretical equation of these factors.
根据基尔霍夫理想黑体“腔体密闭性”和“腔体等温性”两项原则，提出由腔体密闭和等温程度所决定的黑体空腔精度两个分量的新概念，并给出这两个分量的理论公式。
2.
The necessity of distingshing the longwave and shortwave sensitivity of this apparatus is discussed at first, and then the standard equipment of the improved black body radiation is introduced.
讨论了区分净全辐射表长波和短波灵敏度的必要性，介绍了改进后的检定净全辐射表长波灵敏度的辐射黑体标准装置。
3.
The radiation efficiency of cooperative system has been investigated with numerical calculation,in which the target has been regard as black body.
研究了合作目标系统中,当目标辐射为黑体辐射时最大辐射效率。
6) blackbody
[英]['blæk'bɔdi] [美]['blæk'bɑdɪ]
黑体
1.
BF-50B Blackbody Radiator;
BF-50B黑体辐射源标准装置的研制
2.
Design of High Accurate and Reliability Measure Temperature Circuit for Blackbody on the Track;
高精度高可靠性的在轨黑体测温电路设计
3.
The method takes the following steps: (1)to calculate the distribution of the effective emissivity of the subcavity, (2)to calculate the distribution to subcavity opening of the effective emissivity of the subcavity l and (3)to calculate the integrated emissivity of a multi -celled large-area blackbody.
面黑体的积分发射率是面黑体的重要辐射特性。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条