1) met.
多发射极晶体管
2) polysilicon emitter teansistor
多晶硅发射极晶体管
3) dual emitter transistor
双发射极晶体管
4) grounded-emitter transistor
共发射极晶体管
5) double polysilicon emitter transistor
双层多晶硅发射极晶体管
6) polysilicon emitter
多晶发射极
1.
In modern advanced bipolar technology, polysilicon emitter structure is adopted.
在现代比较先进的Bipolar技术中,一般采用多晶发射极结构,这种结构可以提高双极管放大倍数和频率响应特性,因此,这种结构得到广泛的应用。
2.
After synthetizing requirement of home market at present stage, the circuit of class D power amplifier is designed basing on polysilicon emitter BiCMOS process of 0.
6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条