1) longitudinal stiffness
轴向刚性
2) axial nonlinear stiffness
轴向非线性刚度
3) axial rigidity
轴向刚度
1.
Calculation and influence analysis for axial rigidity of a super-long single pile;
超长单桩轴向刚度的计算及其影响因素
2.
Its axial rigidity directly influences the positioning accuracy of CNC machine.
滚珠丝杠螺母传动机构是数控机床的进给传动部件,其轴向刚度直接影响数控机床的定位精度,应用变行协调原理给出了滚珠丝杠螺母传动机构的轴向刚度计算方法,计算结果显示,两端固定支承的丝杠的轴向刚度随长度按抛物线规律变化,并不是定值。
3.
The effect of axial rigidity and assembly part matching on product tolerance and bearing service life were analyzed based on theory and practic
从理论与实践结合的角度分析了ＧＹ短应力线轧机轴向刚度及轴向组合件的配置对轧件尺寸精度及轴承寿命的影响，并提出了其相应措施。
4) axial stiffness
轴向刚度
1.
Analysis of materials coefficient of rubber Mooney-Rivlin model impacting on the axial stiffness;
橡胶Mooney-Rivlin模型材料系数对轴向刚度影响分析
2.
The experimental results show that the axial stiffness of unidirectionally wound tubes is a little higher than that of cross wound tubes.
实验结果表明,无纬结构管件比有纬结构管件的轴向刚度略高些。
3.
By the classical method of material mechanics,the deformation of carbon-tube nanosprings under transverse and axial loading was analyzed respectively,and the transverse and axial stiffness of carbon-tube nanosprings was formulated.
分析了碳管纳米弹簧在横向、轴向载荷作用下的变形,给出了碳管纳米弹簧的横向刚度K_r与轴向刚度K_l的表达式。
5) axial loading with rigid plate and lateral pressing with hydraulic pressure
轴向刚性、侧压柔性加载
6) nonrigid shafts
非刚性轴
1.
Numerical simulation for cutting vibration of nonrigid shafts;
非刚性轴切削加工振动的数值模拟
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条