1) firing rate
激发率
2) laser excitation efficienc
激光激发率
3) Excitation efficiency
激发效率
1.
The Xe excitation efficiency of new cell is higher than that of long gap cell and Xe excitation efficiency is inversely proportional to voltage.
模拟结果表明:新单元的Xe激发效率高于传统结构的Xe激发效率,并且Xe激发效率与 电压成反比;在维持间隙在于360 μm时,新单元的最小维持电压低于传统单元的最小维持电压,当维持间隙大 于或等于450 μm时,辅助电极降低最小维持电压的优点尤为明显;当辅助间隙在60-100μm时,最小维持电 压较小;与长间隙单元相比,新单元对荧光粉的损伤减轻50％以上。
2.
In this paper, we analyze the mechanism of the probe doped layer measurement to study the excitation efficiency distribution across the phosphor in thin film electroluminescent devices.
分析了利用探针层（ｐｒｏｂｅ－ｄｏｐｅｄｌａｙｅｒ）实验方法来测量激发效率在电致发光器件的发光层中分布的机理，并利用这种实验方法测量了激发效率在低压驱动薄膜电致发光器件的发光层中的分布特性和器件的激发特性。
3.
TheXe excitation efficiency of new cell is higher than that of long gap cell and Xe excitation efficiency isinversely proportional to voltage.
模拟结果表明:新单元的Xe 激发效率高于传统结构的Xe 激发效率,并且Xe 激发效率与电压成反比;在维持间隙大于360 μm 时,新单元的最小维持电压低于传统单元的最小维持电压,当维持间隙大于或等于450 μm 时,辅助电极降低最小维持电压的优点尤为明显:当辅助间隙在60～100 μm 时,最小维持电压较小;与长间隙单元相比,新单元对荧光粉的损伤减轻50%以上,模拟结果对新结构PDP 单元优化设计提供了指导。
4) Excitation frequency
激发频率
1.
Effect of excitation frequency on microcrystalline silicon materials prepared by VHF-PECVD;
激发频率对VHF-PECVD制备微晶硅材料性能的影响
5) excitation rate
激发速率
1.
Electron energy distribution function and the influence of the magnetic field on electron impact excitation rates are discussed.
在该模型下分析、计算了 CO气体放电系统电子的能量分布函数 ;CO分子的电子碰撞激发速率 ,CO分子各振动态的布居数分布和对应的小信号激光增益系数。
6) curvature excitation
曲率激发
1.
Under the flat Minkowski space-time background,we give a lowest-order calculation perturbatively of two-point curvature vacuum correlation functions in four-derivative gravity,resulting in that the leading terms of curvature vacuum correlation functions are not zero and the possibility of curvature excitation exists.
结果表明,在四导数引力时空两点间的曲率真空相关函数首项不为零,可能存在曲率激发。
补充资料：晶体中的元激发(见固体中的元激发)
晶体中的元激发(见固体中的元激发)
elementary excitation in crystal
晶体中的元激发eleme讯ary excitation Incrvstal见固体中的元激发。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条