1) extended dislocation
扩展错位
2) extended dislocation
扩展位错
3) "F R" source dislocation
"F-R"源扩展位错
4) dislocation development
错位发展
1.
Research into dislocation development of four Chengdu logistics zones;
成都四大物流园区错位发展研究
2.
The core issues of local universities science development is reasonable position, and its major problem is dislocation development.
地方本科院校科学发展的核心问题是合理定位,关键问题是错位发展,根本保证是强化质量。
5) epitope spreading
表位扩展
1.
These results clearly demonstrate the existence of anti-N49 antibody,and the epitope spreading in mice immunized with peptide N49.
表明N49多肽较成功地建立了BALB/c小鼠的干燥综合征(SS)模型,诱导出了典型的自身抗体、颌下腺淋巴细胞浸润和自身抗原M3R分子内表位扩展等特征,为进一步研究M3R等自身抗原在SS发生中的作用机制奠定了基础。
6) bit extension
位扩展
1.
As chaos sequences have many specific features,so this paper first modulates origin watermark label using chaos sequences generated using a key as its seed,then applies error correction coding and magic scrambling to watermark label,afterwards applying bit extension and chaos sequences to that,at last embedding the fore-processed watermark to host image.
由于混沌序列具有的优良性质 ,首先由密钥作为种子生成原始混沌序列 ,以此来调制原始水印标志 ,并进行纠错编码和幻方置乱 ,然后进行位扩展和混沌序列调制 ,最后把预处理后的水印嵌入到原始载体图像中 。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条