1) plating efficiency
平板率
2) efficiency of plating
平板效率
3) platen power
平板功率
1.
In order to satisfy the development of bulk silicon MEMS manufacturing process,the process parameters of ICP-RIE,especially the effect of platen power on the silicon dry etching,were intensively analyzed.
为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。
4) GRIN-slab
梯度折射率平板
5) efficiency of plate culture
平板培养效率
6) absolute plating efficiency
绝对平板效率
补充资料：梯度平板法
分子式：
CAS号：
性质：利用培养皿的一侧至另一侧铺有药物浓度呈梯度分布的琼脂培养基，以筛选相应抗药性突变株的方法。一般先将培养皿一侧搁高约5mm，倒入约10ml融化的琼脂培养基，待凝固后放回水平位置，再倒上等体积含适当浓度药物的相同培养基，放置一天后，即成梯度平板。若涂布菌液，经培养后，其上即可长出抗药性菌株的菌落。
CAS号：
性质：利用培养皿的一侧至另一侧铺有药物浓度呈梯度分布的琼脂培养基，以筛选相应抗药性突变株的方法。一般先将培养皿一侧搁高约5mm，倒入约10ml融化的琼脂培养基，待凝固后放回水平位置，再倒上等体积含适当浓度药物的相同培养基，放置一天后，即成梯度平板。若涂布菌液，经培养后，其上即可长出抗药性菌株的菌落。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条