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1)  intrafascicular cambium
束中形成层
2)  interfascicular cambium
束间形成层
3)  procambial strand
原形成层束
4)  cone beam computed tomography
锥形束断层成像
5)  formation of middle gas pools
中层气藏形成
6)  Micellization [mi,selai'zeiʃən]
胶束形成
1.
The effect of pH control,cosolvency,micellization and HPβCD complexation was investigated for the preformulation of lornoxicam aqueous injection.
研究了pH值、潜溶剂、胶束形成及环糊精包合作用对氯诺昔康溶解度的作用。
补充资料:电离层的形成
dianliceng de xingcheng
电离层的形成
formation of the ionosphere


   地球高层大气的分子和原子在太阳的紫外线X射线和高能粒子的作用下电离,产生自由电子和正负离子,形成从宏观上说仍然是中性的等离子体区域,即电离层。带电粒子通过碰撞等过程又产生复合,使电子和离子的数目减少;带电粒子的漂移和其他运动也可使电子或离子密度发生变化。电子密度N随时间t的变化N/t,是电子生成率Q、电子消失率L和电子因漂移而离开单位体积的速率的代数和。即
            [186-01]186-01式中V是电子的漂移速度。在一般情况下,除F2层上部以外,输运项·(NV)引起的损失是可以忽略的,所以电子密度达到平衡的条件主要决定于电子生成率和电子消失率。
 电离过程 中性大气的电离主要是吸收太阳 X射线和远紫外线(波长小于 0.175微米)辐射的结果。中性大气分子吸收太阳辐射光子的几率用吸收截面 表示,其定义是吸收能量率与单位面积上入射能量率之比,它与波长有关,而被吸收的光子能产生电离的几率则由电离效率η表示,乘积η=1称为电离截面。在远紫外区,的最大值可达10(~10(厘米(;而在X射线范围则小得多。对于原子型气体,η=1,即所吸收的能量全部用于产生电子-离子对。对于分子型气体,则η<1。
 最早提出电离层形成理论的是英国S.查普曼。20世纪30年代初,他假设:①进入大气层的太阳辐射为单色波,②大气成分单一、温度恒定、密度水平分层且随高度按指数律减小。在这两个条件下,对电子密度随高度的分布进行计算,得到了第一个理论模式,后人称为查普曼模式。
 如果辐射进入的方向与天顶成角(称为天顶角),则由于沿途受到气体的吸收,到达高度为 h的辐射通量φ(λ)将比进入大气之前的通量φ∞(λ)减弱e(倍,而 = nHsec,其中n 为气体中性粒子的密度,是高度的函数,H为标高。由此可见, 是度量吸收程度的指标,称为光学深度,它是高度的函数。将 =1定义为单位光学深度,在它所对应的高度以下,入射辐射通量很快地趋近于零,即接近被完全吸收。
 如果去掉温度恒定的假设,则标高也将随高度而变,密度 n也不再是高度的简单函数。此外,当天顶角 相当大时,由于地球的曲率不能忽略而使大气平面分层的假设不再成立,于是 值必须修正。
 电子生成率 中性气体吸收太阳辐射能量后发生电离。单位体积内每秒产生的电子数,即电子生成率Q,同太阳辐射通量、中性粒子的密度 n和它的电离截面1成正比:
            Q=n1φ∞(λ)e(。由于n和 都是高度 h的函数,故Q也随高度变化。在较高的高度上,辐射通量虽强,但粒子密度却小;辐射深入大气层后,虽然能遇到更多的可电离粒子,但辐射通量因沿途被吸收而大大衰减。这两种因素相互制约,使得电子生成率在中间某一高度 hm上达到最大值 Qm。求Q表达式的极值,可以证明 hm即在 =1处,因此,可以很容易地求出 Qm和 hm的值,并进而求得Q值随高度而变化的关系。图1[ 不同天顶角χ下电子生成率与高度的关系] 不同天顶角χ下电子生成率与高度的关系表示了不同天顶角情况下 Q值的差别。图中横坐标为比值Q()/Qm0,Q()是天顶角时的Q 值, Qm0 是天顶角 =0 时电子生成率的最大值。纵坐标为约化高度ζ,ζ=(h-hm0)/H,hm0是电子生成率取Qm0时所对应的高度。由图可见,当 增加时,Q的极大值变小,且其取极大值的高度向上移动。
 电子的消失 当不考虑电子的漂移运动时,单位体积每秒消失的电子数,称为电子消失率L。电子的消失主要有两种类型,一种是电子和正离子的复合,另一种是电子附着到中性粒子上,变成负离子。
 电子和正离子的复合有时伴随着光子的辐射,其反应式为:
               X(+e(─→X+(h),其中 X代表中性粒子。因复合引起的电子消失率同电子密度N和正离子密度[X(]的乘积成正比, 如 [X(]和N相等,则L=[X(]N= N(, 称为复合(或辐射复合)系数,是高度的函数。
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参考词条