1) ectothermy
外温性
2) Infrared ray absorbing
红外吸收保温性
3) heat insulation of building envelope
外围护结构保温性能
1.
A clear description of the effects of window-wall ratio and heat insulation of building envelope on thermal application of solar energy as well as energy consumption for heating and cooling demands in residential buildings was given in this paper.
以上海地区的住宅建筑为研究对象,通过模拟分析的方法,采用DeST软件计算确定建筑逐时的采暖、空调能耗,研究分析窗墙比对建筑全年采暖能耗、全年空调能耗以及全年采暖、空调总能耗的影响规律,研究分析太阳辐射热增加所导致采暖能耗的降低幅度与外围护结构保温性能两者之间的定量关系。
4) selective far-infrared coating for low temperature
低温选择性远红外涂料
5) outer-wall external thermal insulation
外墙外保温
1.
The compound organic thermal insulation materials used in outer-wall external thermal insulation system has become the important fire source.
外墙外保温系统中有机保温材料的大量应用已成为建筑物不可忽视的着火源。
2.
The paper importantly introduced some outer-wall external thermal insulation systems with very nice fire-proof capability.
本文重点介绍了防火性能优异的多种外墙外保温系统,除了介绍每种系统的防火原理外,还包括其它的系统性能以及施工方法等。
3.
The paper introduced the applied technology of rock-wool in outer-wall external thermal insulation system.
本文介绍了岩棉在外墙外保温领域应用的技术研究,该研究是北京市科委课题"高层建筑耐火外墙外保温系统技术研究"的核心内容。
6) exterior wall external insulation
外墙外保温
1.
Talk about the exterior wall external insulation technology of buildings;
建筑外墙外保温技术浅谈
2.
Common quality problem and control measures of the exterior wall external insulation;
外墙外保温系统常见质量问题及控制措施
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条