1) thermal insulation test meter
绝热测试仪
2) absolute instrument
绝对测试仪
3) Insulator Tester
绝缘电阻测试仪
1.
Program Design of Insulator Tester of Missile;
一种导弹绝缘电阻测试仪的软件设计
5) thermal resistance testing system
热阻测试仪
1.
In this paper,based on the dynamic electrical measurement method,single-channel high-power LED thermal resistance testing system was successfully developed.
本文基于动态电学法,研制成功单通道大功率LED热阻测试仪。
6) adiabatic test data
绝热测试数据
补充资料：绝缘材料介电性能测试
绝缘材料的介电性能直接关系这些材料在电工设备中的应用，绝缘材料介电性能测试主要包括绝缘电阻率、相对介电常数、介质损耗角正切（见介质损耗）及击穿电场强度等的测试。测试的结果受很多因素影响，如受环境条件（温度、湿度、气压等）、测试条件（如施加电压的频率、波形、电场强度等）、电极与试样的制备等的影响。因此，必须按有关标准的规定进行测试。
绝缘电阻率测试 通常采用三电极系统（图1）。可以分别测出体积电阻率ρv和表面电阻率ρs。对于平板试样对于管状试样式中u为施加于试样的直流电压，Iv、Is分别为流过试样体积和表面的电流,D1、D2、g分别为电极的直径以及电极间的间隙, L、r1、r2、d分别为电极长度、试样的内外半径及厚度。电极材料可用粘贴铝箔、导电橡皮、真空镀铝、胶体石墨等。在特殊情况下，例如测量薄膜的ρv、ρs，可用二电极系统。
相对介电常数(εr)测试 相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。
应用三电极时，对于平板试样，由于平板电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为对于管状试样，由于圆柱形电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为式中Cx为试样电容(法)，L为电极长度(米)，D1为电极直径(米)，g 为电极间的间隙(米)，d 为试样厚度(米)，r1、r2为试样的内外半径。
应用二电极时
式中Cx为试样电容，Cm为测量电容,C0为试样的几何电容，Ce为试样的边缘电容，Cg为试样的对地电容。
介质损耗角正切(tan δ)的测定 通过测量试样的等效参数经计算求得。也可在仪器上直读。在工频、音频下一般都用电桥法测量,高电压时采用西林电桥法（图2）。电桥平衡时式中CN为标准电容，C4为可调电容，R4为固定电阻,R3为可调电阻。
当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进行测量（图3）。使频率和电感保持恒定，在接入试样和不接试样时调节调谐电容使电路谐振。若接试样时C＝Cs，不接试样时C＝Cns，则试样电容的测量结果是Cx＝Cns-Cs这时可用变Q值法和变电纳法计算试样的tan δx。在变Q值法中是根据接入试样且回路谐振时的 Q值(Qi)与不接试样且回路谐振时的Q值(Q 0)的变化来计算损耗角正切，即式中Cr是回路的总电容，除谐振电容外，包括试样的零电容、接线电容等。变电纳法是根据接试样时谐振曲线的半功率点的宽度△C1(图4) 和不接试样时相应的宽度△C0的变化来计算损耗角正切，即
在这些测试中，选择电极极为重要。常用的是接触式电极。可用粘贴铝箔、烧银、真空镀铝等方法制作电极，但后者不能在高频下使用。低频测量时，试样与电极应屏蔽。在高频下可用测微电极以减小引线影响。在某些特殊场合，可用不接触电极，例如薄膜介电性能测试和频率高于30兆赫时介电性能的测量。
击穿电场强度测定 绝缘材料的击穿电场强度以平均击穿电场强度(EB)表示式中uB为击穿电压，d 为试样的平均厚度。
工频下击穿电场强度的试验线路如图5。R0通过调压器使电压从零以一定速率上升，至试样被击穿，这时施加于试样两端的电压为击穿电压。测击穿电场强度时，电极需照有关标准的规定。
击穿电压可用静电电压表、电压互感器(见互感器)、放电球隙等仪器并联于试样两端直接测出。击穿电压很高时，需采用电容分压器。冲击电压下的击穿电场强度测试，一般用冲击电压发生器产生的标准冲击电压施加于试样，逐级升高冲击电压的峰值直至击穿。冲击电压可用50％球隙放电法、也可用阻容分压器加上脉冲示波器或峰值电压表测量。
绝缘电阻率测试 通常采用三电极系统（图1）。可以分别测出体积电阻率ρv和表面电阻率ρs。对于平板试样对于管状试样式中u为施加于试样的直流电压，Iv、Is分别为流过试样体积和表面的电流,D1、D2、g分别为电极的直径以及电极间的间隙, L、r1、r2、d分别为电极长度、试样的内外半径及厚度。电极材料可用粘贴铝箔、导电橡皮、真空镀铝、胶体石墨等。在特殊情况下，例如测量薄膜的ρv、ρs，可用二电极系统。
相对介电常数(εr)测试 相对介电常数通常是通过测量试样与电极组成的电容、试样厚度和电极尺寸求得。
应用三电极时，对于平板试样，由于平板电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为对于管状试样，由于圆柱形电容Cx的计算公式是根据实际经验修正为式中Cx为试样电容(法)，L为电极长度(米)，D1为电极直径(米)，g 为电极间的间隙(米)，d 为试样厚度(米)，r1、r2为试样的内外半径。
应用二电极时
式中Cx为试样电容，Cm为测量电容,C0为试样的几何电容，Ce为试样的边缘电容，Cg为试样的对地电容。
介质损耗角正切(tan δ)的测定 通过测量试样的等效参数经计算求得。也可在仪器上直读。在工频、音频下一般都用电桥法测量,高电压时采用西林电桥法（图2）。电桥平衡时式中CN为标准电容，C4为可调电容，R4为固定电阻,R3为可调电阻。
当频率为几十千赫到几百兆赫范围时，可用集总参数的谐振法进行测量（图3）。使频率和电感保持恒定，在接入试样和不接试样时调节调谐电容使电路谐振。若接试样时C＝Cs，不接试样时C＝Cns，则试样电容的测量结果是Cx＝Cns-Cs这时可用变Q值法和变电纳法计算试样的tan δx。在变Q值法中是根据接入试样且回路谐振时的 Q值(Qi)与不接试样且回路谐振时的Q值(Q 0)的变化来计算损耗角正切，即式中Cr是回路的总电容，除谐振电容外，包括试样的零电容、接线电容等。变电纳法是根据接试样时谐振曲线的半功率点的宽度△C1(图4) 和不接试样时相应的宽度△C0的变化来计算损耗角正切，即
在这些测试中，选择电极极为重要。常用的是接触式电极。可用粘贴铝箔、烧银、真空镀铝等方法制作电极，但后者不能在高频下使用。低频测量时，试样与电极应屏蔽。在高频下可用测微电极以减小引线影响。在某些特殊场合，可用不接触电极，例如薄膜介电性能测试和频率高于30兆赫时介电性能的测量。
击穿电场强度测定 绝缘材料的击穿电场强度以平均击穿电场强度(EB)表示式中uB为击穿电压，d 为试样的平均厚度。
工频下击穿电场强度的试验线路如图5。R0通过调压器使电压从零以一定速率上升，至试样被击穿，这时施加于试样两端的电压为击穿电压。测击穿电场强度时，电极需照有关标准的规定。
击穿电压可用静电电压表、电压互感器(见互感器)、放电球隙等仪器并联于试样两端直接测出。击穿电压很高时，需采用电容分压器。冲击电压下的击穿电场强度测试，一般用冲击电压发生器产生的标准冲击电压施加于试样，逐级升高冲击电压的峰值直至击穿。冲击电压可用50％球隙放电法、也可用阻容分压器加上脉冲示波器或峰值电压表测量。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条