1) temperature compensating coil
温度补偿线圈
2) compensating coil
补偿线圈
1.
In order to research the compatibility of a large-scale degaussing station, this paper analyzes the compages of ampere turns of compensating coil based on the calculation of magnetic field about degaussing coil.
针对大型消磁站的消磁兼容性,基于通电线圈磁场计算,分析大型消磁站补偿线圈安匝组合,提出磁探头的布局问题,为大型消磁站消磁线圈的计算设计方案提供了参考依据。
3) nonlinear temperature compensation
非线性温度补偿
1.
The precise programmable current generator adopts USB communication pattern, it has thefunctions of temperature measurement and nonlinear temperature compensation.
精密程控电流源采用USB通信模式,具有温度测量和输出电流非线性温度补偿功能,输出电流的准确度高、性能稳定可靠。
4) temperature compensation
温度补偿
1.
The method of temperature compensation in the measuring concentration of lye in mercerizing process;
丝光机碱液浓度检测温度补偿方法的研究
2.
Research and application on the siemens 840D CNC system temperature compensation function;
西门子840 D系统温度补偿功能在数控机床上的开发应用
3.
Pressure sensor temperature compensation based on least squares support vector machine;
基于最小二乘支持向量机的压力传感器温度补偿
5) temperature compensate
温度补偿
1.
This thesis bring forward by apply of the single- chip to actualize temperature compensate control project.
在定量装液自动控制系统中为了提高计量精度,论文提出了应用单片机实现对油品温度补偿的控制方案,基本上能够解决上述问题。
6) compensation temperature
补偿温度
1.
Particularly, the effects of single-ion anisotropy and interlayer interaction on magnetization, critical and compensation temperature are investigated.
采用双时温度格林函数方法讨论了具有层间耦合的蜂窝状晶格3/2和5/2混自旋亚铁磁Heisenberg系统全温区的磁性行为·讨论了晶体场单离子各向异性和层间耦合效应对系统磁矩、转变温度和补偿温度的影响·给出了子晶格磁矩和总磁矩在不同的晶体场单离子各向异性和层间耦合效应随温度变化曲线,系统的转变温度和补偿温度随晶体场单离子各向异性和层间耦合效应变化的相图·分析表明:系统存在多种磁矩曲线,当晶体场单离子各向异性和层间耦合超过最小值(D1min/J和J1min/J)后才会出现补偿现象,补偿温度随D1/J和J1/J的增大而减小,最后趋于不变
2.
If the hood concentration varies in the certain ranges, we find that the compensation temperature is obtained for values of the different transverse fields in a restricted region.
如果键浓度在某一范围内变化，我们发现当不同横场在一限制区域时可获得该系统的补偿温度。
3.
A compensation temperature was found with the field being less than 0.
1 T)时,发现有一个补偿温度;当温度大于50 K时,磁化率与温度的关系遵循居里-外斯定律。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条