1) single-wave oscillator
单波荡振器
2) harmonic oscillators
谐波振荡器
1.
By applying the describing function method,the circuit performance of millimeter wave second harmonic oscillators was investigated based on a large signal model of GaAs Gunn diode at harmonic frequencies.
根据ＧａＡｓＧｕｎｎ器件的谐波大信号特性，应用描述函数法对毫米波二次谐波振荡器的电路特性进行了研究，分析了振荡频率和输出功率随器件大信号特性参数与外电路参数变化的规律，所得结论与实验结果一
3) microwave oscillator
微波振荡器
1.
This paper describes the design and implementation of a microwave oscillator based on Low-temperature Co-fired Ceramic(LTCC) packaging.
描述了一个基于低温共烧陶瓷(LTCC)封装技术的微波振荡器的设计和制作。
2.
The oscillating behavior to impact avalanche transit time of microwave oscillator is analysed in the paper.
本文对崩越模微波振荡器的振荡性能进行了分析，并在此基础上首次给出这种振荡器完善的振荡条件与最佳设计考虑的问题。
5) slow-wave oscillator
慢波振荡器
1.
The plasma-assisted slow-wave oscillator is a class of unique high-power microwave source,A class of fibre-optic controlled gases-puff system for plasma-cathode electron gun of the plasma assisted slow-wave oscillator is developed in this paper.
设计制作的等离子体辅助慢波振荡器光控脉冲馈气系统能以任意脉冲宽度给等离子体阴极电子枪馈气,同时以任意时间延迟提供触发信号给调制器,启动空心阴极辉光放电。
6) sonic oscillator
音波振荡器
1.
Effects of geometrical size on flow characteristics of jet in sonic oscillator;
几何尺寸对音波振荡器射流流动特征的影响
补充资料：LC 振荡器
由LC谐振回路作反馈电路的反馈型正弦波振荡器。其放大电路主要由晶体管或电子管构成，自振频率基本上决定于谐振回路的电感L和电容C，振荡幅度主要受制于有源电子器件的非线性和电源电压的幅度。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
LC振荡器因谐振回路具有很高的选择性，即使放大器工作在非线性区，振荡电压仍非常接近正弦形。但因它的谐振元件LC之值限于体积不宜过大，振荡频率不宜太低,一般为几百千赫到几百兆赫。频率稳定度墹f/f一般为10-2～10-4 量级，略优于RC 振荡器，但比石英晶体振荡器要低几个数量级。谐振元件L或C的数值调节方便，可借以改变振荡频率，因而为广播、通信、电子仪器等电子设备所广泛采用。
LC振荡器依L、C在电路中的接法不同而有调集振荡器、哈特莱振荡器、科皮兹振荡器等主要类型。
调集振荡器 LC 谐振回路接在晶体管的集电极-发射极之间，并通过互感使基极和发射极间产生反馈耦合（图1)。电感线圈的初、次级电压应互为反相,以实现正反馈。振荡频率f低于晶体管的β截止频率f时，调集振荡器的自振频率f0和起振条件（见振荡）分别为
式中Ri和R0分别是放大器的输入和输出阻抗,gm是晶体管的跨导。调集振荡器一般适于产生几千赫到几兆赫的正弦振荡。它由于采用互感耦合方式而容易实现阻抗匹配。
哈特莱振荡器 又称电感三点式振荡器。构成正反馈的L1、L2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,C接在集电极-基集之间(图2)。用于低频的自振频率f0和起振条件分别为
式中L=L1+L2+2M。哈特莱振荡器的线路简单，容易起振，也易于改变频率，但波形一般不太好，其振荡频率可从数百千赫到数十兆赫。
科皮兹振荡器 又称电容三点式振荡器。构成正反馈的C1、C2分别接在晶体管集电极-发射极和基极-发射极之间,L接在集电极-基极之间(图3)。用于低频时，自振频率f0和起振条件分别为
科皮兹振荡器输出波形好，工作频率可达数百兆赫，但极间电容变化对频率稳定度的影响较大，频率调整比较困难。
若在L支路中串入一个比C1和C2小得多的电容器C3，其自振频率将近似为
它主要决定于L和C3,从而减轻了极间电容对频率稳定度的影响，也便于频率调整。经过这样改进的电路称为克拉泼振荡器。若在克拉泼振荡器的谐振元件 L两端再并接一个小电容器C4，就可构成西勒振荡器。这时，其自振频率f0近似为
式中
西勒振荡器的振幅在工作频段内比较平坦，适于作为可变频率振荡器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条