补充资料：电阻测温技术

电阻测温技术
resistance thermometry

d泊nZuO印八旧n」ishu电阻侧沮技术(resis加旧ce the~Inetly)利用晶体的电阻同温度的关系测量温度的方法。1821年，英国的H.戴维发现金属的电阻随温度而变化的规律。l价6年德国的K.W.西门子制作了第一支铂电阻沮度计。其他一些纯金属电阻也可用于测温，例如铜、锢、镶，铜电阻具有良好的测温特性，但它容易氧化，不适用于岌幻℃以上的侧t。1.艾斯特曼等人于1955年发现，含有一定浓度杂质的锗的电阻一温度特性曲线合乎低温侧t的孺要。19臼)年，J.E.昆兹勒等人首先采用锗电阻温度计测温。此后，又发现掺杂的硅也可以用于温度测量。半导体的温度系数是负值，即温度越低，电阻越高。因此，它在低温下有很高的灵敏度，但其复现性较差。碳并不是半导体，但由于它的温度系数是负值，所以通常把它划在半导体之列。佬铁合金的电阻侧温是B.R.科尔斯于1臾抖年提出的。英国的R.L.拉斯比于1972年发表了他制作的佬铁电阻温度计数据。在13K以下，铂电阻温度计灵敏度很低，已经不能被用作精密的温度测量，而锗电阻温度计虽然灵敏度高，但不够稳定。而锗铁电阻温度计正是在这个温度范围具有独到的优越性。 电阻侧温有着特殊的优越性，可以制成各种形状以适应不同的需要，测t时操作方便、简单，特别是测温性能优良，故深得各方面的欢迎。测量电阻的仪器在很大程度上影响着电阻温度计的测量灵敏度和精度。用于侧t电阻的仪器主要是电桥、电位差计。 (李泥然)

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