1) photoluminescent thermometer
光致发光温度计
2) room temperature photoluminescence
室温光致发光
1.
By fitting the room temperature photoluminescence peak wavelength of the highly strained InGaAs/GaAs quantum well,we obtain the diffusion coefficients and the activation energy of In-Ga atoms interdiffusion (0.
本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的InGa原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(0。
3) LTPL
低温光致发光
1.
In this article, low temperature photoluminescence (LTPL) measurements have been performed on neutron irradiated and post-annealed n-type 6H-SiC, the annealing temperature was from 350℃ to 1650℃.
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。
2.
In this thesis, irradiation-induced defects in 6H-SiC samples after neutron andelectron irradiation having different energies have been studied using lowtemperature photoluminescence (LTPL) and deep level transient spectroscopy (DLTS)techniques.
本文用低温光致发光谱(PL)和深能级瞬态谱(DLTS)技术对中子和不同能量电子辐照后6H-SiC外延层的辐照诱生缺陷进行了研究,研究了不同辐照能量下辐照诱生缺陷的产生以及它们的退火行为,分析了它们在退火过程中的迁移、解体和重新组合等演变过程。
4) Low-temperature photoluminescence
低温光致发光谱
5) Photoluminescence (PL) spectra at room temperature
室温光致发光谱
6) temperature dependent PL measurement
变温光致发光谱
1.
from temperature dependent PL measurement spectra we determine the binding energy of the acceptors to be 131 meV at 81 K, suggests that it is a Sb_(Zn)-2V_(Zn) complex with activation energy of about160 meV.
XRD和拉曼谱表明Sb~(3+)代替Zn~(2+)进入ZnO的格位,随着浓度的增加纳米粒子半径变小;通过变温光致发光谱,计算出在81 K时受主束缚能为131 meV,认为形成了Sb_(Zn)-2V_(Zn)复合体,理论计算其受主束缚能为160 meV。
补充资料:光致发光
用光激发发光体引起的发光现象。它大致经过吸收、能量传递及光发射三个主要阶段。光的吸收及发射都发生于能级之间的跃迁,都经过激发态。而能量传递则是由于激发态的运动。
激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。
接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:"红移"(约几百cm-1)及"达维多夫劈裂"。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。
能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。
激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。
光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,"黑光灯"及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。
光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域,使它又进一步成为重要的研究手段,应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域,逐步出现新的边缘学科。
激发态的分布按能量的高低可以分为三个区域。低于禁带宽度的激发态主要是分立中心的激发态。关于这些激发态能谱项及其性质的研究,涉及到杂质中心与点阵的相互作用,可利用晶体场理论进行分析。随着这一相互作用的加强,吸收及发射谱带都由窄变宽,温度效应也由弱变强,特别是猝灭现象变强,使一部分激发能变为点阵振动。在相互作用较强的情况下,激发态或基态都只能表示中心及点阵作为一个统一系统的状态。通常用位形坐标曲线表示。电子跃迁一般都在曲线的极小值附近发生。但是,近年关于过热发光的研究,证明发光也可以从比较高的振动能级起始,这在分时光谱中可得到直观的图像,反映出参与跃迁的声子结构。
接近禁带宽度的激发态是比较丰富的,包括自由激子、束缚激子及施主-受主对等。当激发密度很高时,还可出现激子分子,而在间接带隙半导体内甚至观察到电子-空穴液滴。 激子又可以和能量相近的光子耦合在一起,形成电磁激子(excitonic polariton)。束缚激子的发光是常见的现象,它在束缚能上的微小差异常被用来反映束缚中心的特征。在有机分子晶体中,最低的电子激发态是三重激子态,而单态激子的能量几乎是三重态激子能量的两倍。分子晶体中的分子由于近邻同类分子的存在,会出现两种效应:"红移"(约几百cm-1)及"达维多夫劈裂"。这两种效应对单态的影响都大于对三重态的影响。
能量更高的激发态是导带中的电子,包括热载流子所处的状态。后者是在能量较高的光学激发下。载流子被激发到高出在导带(或价带)中热平衡态的情况,通常可用电子(或空穴)温度(不同于点阵温度)描述它们的分布。实验证明,热载流子不需要和点阵充分交换能量直至达到和点阵处于热平衡的状态即可复合发光,尽管它的复合截面较后者小。热载流子也可在导带(或价带)内部向低能跃迁。这类发光可以反映能带结构及有关性质。
激发态的运动是发光中的重要过程,能量传递是它的一个重要途径。分子之间的能量传递几率很大,处于激发态的分子被看作是激子态。无机材料中的能量传递也非常重要,在技术上已得到应用。无辐射跃迁是激发态弛豫中的另一重要途径。对发光效率有决定性的影响。
光致发光最普遍的应用为日光灯。它是灯管内气体放电产生的紫外线激发管壁上的发光粉而发出可见光的。其效率约为白炽灯的5倍。此外,"黑光灯"及其他单色灯的光致发光广泛地用于印刷、复制、医疗、植物生长、诱虫及装饰等技术中。上转换材料则可将红外光转换为可见光,可用于探测红外线,例如红外激光的光场等。
光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、灵敏度高的分析方法。激光的应用更使这类分析方法深入到微区、选择激发及瞬态过程的领域,使它又进一步成为重要的研究手段,应用到物理学、材料科学、化学及分子生物学等领域,逐步出现新的边缘学科。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条