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1)  multielectrode mercury arc rectifier
多极汞弧整流器
2)  multianodemercury-arc rectifier
多阳极汞弧整流器
3)  pool-cathode rectifier
汞弧阴极整流器
4)  mercury vapour arc rectifier
汞弧整流器
5)  grid controlled mercury-arc rectifier
栅极控制汞弧整流器
6)  single anode mercury arc rectifier
单阳极汞弧整流器
补充资料:硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))
硅可控整流器(siliconcontrolledrectifier(SCR))

简称可控硅。是一种三端四层晶体管,由pnpn四层半导体构成,它是一种可以控制的大功率半导体整流器。该器件内部有三个pn结。当可控硅加反向电压(阴极接正,阳极接负)时,结J1和J3处于反偏,只有很小的反向电流,器件处于反向阻断状态。当可控硅加正向电压且控制极不加电压时,结J1和J2处于正向偏置,而结J2为反向偏置,所以器件也只流过很小的正向电流。当正向电压上升到转折电压时,电流突然增加,器件由正向阻断突然转变为导通。导通后,正向特性和普通二极管正向特性相似。但在很大正向电压下使其击穿导通,实际上是不允许的。使用中是把正向触发电压加到控制极G上,使可控硅导通,正向转折电压降低。触发电流愈大,正向转折电压就愈低。触发导通是在极短时间内完成的,一般不超过几微秒。导通后,即使去掉G板上的触发电压,器件仍可维持导通,控制极不再起作用。通常触发电压1~5V,触发电流为几十至几百mA。可控硅导通后,正向压降一般为0.6~1.2V。SCR的额定正向电流从1A到几百A,反向额定电压可高达2kV以上,工作温度150°以下。SCR主要用于电力变换和控制,如可控整流、交流调压、逆变(直流→交流)、斩波调压(直流→可变直流)等。可以用微小的信号功率(100~200mA电流、2~3V电压)对大功率的电源(几百安电流、几千伏电压)进行控制和变换。SCR具有耐压高、容量大、效率高、控制灵敏等优点。缺点是过载能力和抗干扰能力料差,控制电路比较复杂。随着技术的发展,出现了双向可控硅、反向截止可控硅等派生元件,扩大了应用范围。可控硅又称晶体闸流管(简称晶闸管)。

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