2) high purity zirconium dioxide
高纯二氧化锆
1.
Determination of trace rare earth impurities in high purity zirconium dioxide by inductively coupled plasma mass spectrometry after separation by solvent extraction;
萃取分离基体-电感耦合等离子体质谱法测定高纯二氧化锆中痕量稀土杂质
3) highpurity zirconium oxychloride
高纯氧氯化锆
1.
Polyacrylamide type flocculants have been used in the secondary removal of silicon in preparation of highpurity zirconium oxychloride.
高纯氧氯化锆是制取高纯锆化学品的重要原材料，目前国内外多采用锆英石为原料碱熔法生产，硅的去除分两步进行：第１步是用水浸洗碱熔分解产物，大约有８５％～９０％的硅以硅酸钠的形式进入水浸液，余下ＳｉＯ２需要“二次除硅”。
4) zirconium
[英][zə:'kəuniəm] [美][zɚ'konɪəm]
纯锆
1.
Surface study of zirconium implanted with yttrium and lanthanum;
纯锆上离子注入钇和镧后的表面分析
2.
In order to study the effect of carbon ion implantation on the aqueous corrosion behavior of zirconium, specimens were implanted with carbon ions with fluence ranging from 1×1016 ions/cm2 (1E16C) to 1×1017 ions/cm2, using a metal vapor vacuum arc source (MEVVA) at an extraction voltage of 40 kV.
为了研究碳离子注入对纯锆耐蚀性的影响,用MEVVA源对纯锆样品进行了1×1016ions/cm2至1×1017ions/cm2的碳离子注入,注入加速电压为40kV。
3.
In order to study the influence of lanthanum ion implantation on the oxidation behavior, zirconium specimens were implanted at a dose range from 1×1016ions/cm2 to 1×1017 ions/cm2 using MAVVA source at extracted voltage of 40 kV.
对纯锆表面注入了1×10~(16)ions/cm~2～1×10~(17)ions/cm~2的镧离子,并在500℃条件下进行了空气氧化增重研究。
5) Sponge Zirconium of Nuclear Purity
核纯锆
6) Nuclear-pure spongy Zr
核纯海绵锆
补充资料：氧化锆-氧化钇红外陶瓷
分子式： ZrO2-Y2O3
CAS号：
性质：一种以二氧化锆为基体固溶6％～8％(mol)氧化钇的红外光学材料。立方晶结构。熔点2700℃。密度5.98g/cm3。红外透射波段1～10μm。采用1450℃以上高温烧结或1300～1700℃，50～300MPa热压制取。用于制造耐高温红外窗口和整流罩。
CAS号：
性质：一种以二氧化锆为基体固溶6％～8％(mol)氧化钇的红外光学材料。立方晶结构。熔点2700℃。密度5.98g/cm3。红外透射波段1～10μm。采用1450℃以上高温烧结或1300～1700℃，50～300MPa热压制取。用于制造耐高温红外窗口和整流罩。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条