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1)  germanium photocell
锗光电池
2)  germanium photocell
锗光电管
3)  germanium photosensitive resistance
锗光敏电阻
4)  germanium photoconductor
锗光电导体
5)  germanium phototransistor
锗光电晶体管
6)  microcrystalline silicon-germanium solar cells (μc-SiGe solar cells)
微晶硅锗太阳能电池
补充资料:多晶硅太阳能电池


多晶硅太阳能电池
polycrystaline-silicon solar cell

duoJInggul to一yongnengd一oneh-多晶硅太阳能电池(polyerystaline一siliconsolar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成,所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界,而晶界往往有许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中,位错、缺陷、应力、应变也较多,使得多晶硅中由人射光激发而产生的光生载流子的寿命比较短,因而多晶硅太阳能电池中的复合电流大,开路电压、短路电流、填充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特~10种硅带技术在研究,其中有四种比较成熟,即:①定边喂膜法(EFG);②跳状枝晶法(DB);③硅筒法(SB);④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m.沿带硅生长方向看,晶较取向比较一致,而沿带宽方向看,晶向比较复杂,所以常称这种有纤维状晶体结构的带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池,平均效率已突破10%,有的已达15%。其中:①定边喂膜法,是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液,靠毛细现象,硅液沿狭缝上升,用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上拉伸,即得到等宽等厚的带硅;②跳状枝晶法,是用两根细籽晶平行伸入硅熔液,靠表面张力,硅液在籽晶之间形成一个蹼状弯月面状的硅膜,把籽晶向上提伸.这种蹼状硅膜同时伸长,形成蹼状带硅;③硅筒法,是用宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶,围成8边形,伸人硅熔液,然后向上提拉,即可得到一个8边形的硅筒,用激光分割后,即可得到厚度均匀、质量较好的硅片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低,用硅筒基片制成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%,因而已具备产业化的条件;④电喷法,是由多晶硅粉末电喷到耐高温衬底上,形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件,典型的参数为:输出功率尸。、匕90Wp,短路电流I、一5.8A,开路电压Voc二21.gV,几何尺寸(LxwxH)-1633 mm派660 mmX35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响,但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶硅,已可用作硅太阳能电池的原料。性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高纯石英增祸,人们从20世纪60年代起探索以多晶硅作为制造太阳能电池的材料。
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